sp文
管脚序号名称功能描述
1VDD电源供电
3.4CS芯片地.接电阻限制输出流
8DRAIN电源输入端（MOS漏极）
2.5.6.7NC空脚
四、内部框图
五、极限参数及推荐值
注意：极限参数是定义芯片的工作的极限值，超过这些工作条件时将会使电路功能失常，甚至造成损坏，因此，实际的应用中必须低于推荐值。
参数名称参数符号极限值单位DRAIN脚最高耐压VDS(max)-0.3～500V
VDD电压HVDD7V
ESD(人体模式)VESD3000V
结温TJ-40～160℃
存储温度TSTG-55～150℃
六、电气参数
=25℃）
（如非特别指明均指T
A
参数符号测试条件最小值典型值最大值单位漏源击穿电压BV DS500V
高压漏电流I DSS--0.1mA
导通电阻R DSon ID=0.1A13Ohm VDD工作电压VDD-- 5.3 5.5 5.7V
VDD关闭电压VDD OFF-- 4.3V
VDD基准电压VDD REF 4.95 5.1V
VDD工作电流IDD VDD=6V0.150.3mA 芯片充电电流IDD CH VDS=500V;VDD=0V1mA 芯片振荡频率F OSC30KHz 抖频范围△F OSC5%
最大占空比D MAX2526%
过流比较阀值Vcs0.440.480.52V
过温保护温度TOVT155℃
七、功能描述
KPS10SP采用高压集成工艺，内部集成有500V高压MOSFET，适用于小家电和辅助电源应用场合所需的离线式降压电路和升降压电路，也可用于线性电源的替代型电源。芯片采用开关式峰值电流模式控制，默认5V高精度输出时最大程度降低了系统成本。
超低静态工作电流
KPS10SP的静态工作电流典型值为150uA。如此低的工作电流降低了对于VDD电容大小的要求，同时也可以帮助系统降低成本。通常条件下建议使用0.1-1uF瓷片电容。
振荡器
芯片内振荡器频率固定为31kHz，同时为了优化系统EMI系统还带有+-5%范围的抖频功能。在实际工作中，系统开关频率取决于负载状态以及VDD电压与输出电压基准的高低，所以系统工作调频模式中。
逐周期电流限制
芯片采用管脚复用技术，内部差分采样电路采样VDD管脚与CS管脚之间的压差作为内部过流比较器的输入。当过流比较器翻转时高压MOSFET关断直至下一个周期重新开通。为了避免开通瞬间的干扰，芯片内设计有前沿消隐电路（典型值300ns），在此时间内过流比较器不翻转且高压MOSFET不允许关断。
轻载模式
在轻载条件下，系统工作在断续模式下。故实际输入功率取决于电感电流峰值大小。，为了降低系统损耗，随着负载的降低KPS10SP会自动降低峰值电流基准以满足超低待机的要求。
软启动
KPS10SP内集成有4ms（典型值）周期的软启动功能，当芯片第一次启动时过流保护阈值逐渐增加而且每次系统的重新启动都会伴随着一次软启动过程。
过载保护(OLP)、短路保护(SLP)
当过流或短路情况发生时，输出电压和VDD将降低，如果在128ms（典型值）的时间内每次振荡器的周期里高压MOSFET都被开通，则芯片识别此情况为过流或短路故障已发生，并停止开关动作之后进入自动重启模式（如下描述）。
过热保护(OTP)
KPS10SP内部集成的过热保护电路会检测芯片的芯片结温，当芯片结温超过155度（典型值）时系统自动关闭。温度降低后电路重启动。
八．封装尺寸
15
α
英寸毫米
标号最小标准最大最小标准最大
A0.0510.0590.067 1.30 1.50 1.70
A10.0020.0060.0100.060.160.26
b0.0120.0160.0220.300.400.55
c0.0060.0100.0140.150.250.35
D0.1860.1940.202 4.72 4.92 5.12
E0.1480.1560.163 3.75 3.95 4.15
e0.050 1.27
H0.2240.2360.248 5.70 6.00 6.30
L0.0180.0260.0330.450.650.85α0°8°0°8°（以上电路及规格仅供参考，如本公司进行修正，恕不另行通知。)
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