填空题
电力电子技术包括 电力电子器件 、电力电子电路 和 控制技术 3个部分。
现代电力电子器件分为 不可控型器件 、半控型器件 和 全控型器件 三类。
电力二极管的主要类型有 普通二极管 、快恢复二极管 和 肖特基二极管 三种。
晶闸管的外形大致有 塑封形 、平板型 和 螺栓形 三种。
晶闸管额定电流与有效值电流的关系 IT=1.57IT(AV)。
双向晶闸管的门极控制方式有两种：移向触发和 过零触发。
2.判断题
（ × ）1）普通晶闸管内部有两个PN结。
（ × ）2）普通晶闸管外部有3电极，分别是基极、发射极和集电极。
（ √ ）3）型号为KP50-7的半导体器件，是一额定电流为50A的普通晶闸管。
（ ×）4)只要让加在晶闸管两端的电压减小为零，晶闸管就会关断。
（ × ）5）只要给门极加上触发电压，晶闸管就导通。
（ ×）6）晶闸管加上阳极电压后，不给门极加触发电压，晶闸管就会导通。
（ × ）7）加在晶闸管门极上的触发电压，最高不得超过100V。
3.选择题
1）在型号KP100-10G中，数字10表示（ C ）。
A、额定电压为10V B、额定电流为10A
C、额定电压为1000V D、额定电流为100A
2)晶闸管内部有（ C ）PN结。
A、1个 B、2个 C、3个 D、4个
3）晶闸管的3个引出电极分别是（ B ）
好书籍推荐A、阳极、阴极、栅极 B、阳极、阴极、门极
C、栅极、漏极、源极 D、发射极、基极、集电极
4）普通晶闸管的额定通态电流是用（ A ）表示。
A、流过晶闸管的平均电流 B、直流输出平均电流
C、整流输出电流有效值 D、交流有效值
5）当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在（ B ）
A、导通状态 B、关断状态 C、饱和状态 D、不定
6）处于阻断状态的晶闸管，只有在阳极与阴极间加正向电压，且在门极与阴极间作（ C ）处理才能使其开通。
A、并联一电容 B、串联一电感
C、加正向触发电压 D、加反向触发电压
7）在晶闸管工作过程中，管子本身产生的管耗等于管子两端电压乘以（ A ）
A、阳极电流 B、门极电流
C、阳极电流与门极电流之差 D、阳极电流与门极电流之和
填空题
典型的全控型器件主要有 门极可关断晶闸管 、电力晶体管 、电力场效应晶体管 和 绝缘栅双型晶体管四种。
某半导体器件的型号为KP50-7，其中KP表示该器件的名称为 反向阻断晶闸管，50表示 额定电流50A，7表示 额定电压700V。秦始皇兵马俑简介
GTO的门极控制增益β的表示方法：β=IATO|1-IGM|。
电力MOSFET的基本特性有 转移特性 、 开关特性 和 输出特性 三种。
2.选择题
1）功率晶体管（GTR）从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（ B ）。
A、一次击穿 B、二次击穿 C、临界饱和 D、反向截至
2）电力场效应晶体管（电力MOSFET）欢迎横幅标语是理想的（ A ）控制器件。
A、电压 B、电流 C、电阻 D、功率
3）在电力电子装置中，电力晶体管一般工作在（ D ）状态。
A、放大 B、截止 C、饱和 D、开关
4）电力晶体管在使用时，要防止（ A ）。
A、二次击穿 B、静电击穿
C、时间久而失效 D、工作在开关状态
电力场效应晶体管（电力MOSFET）适合于在（ D ）条件下工作。
A、直流 B、低频 C、中频 D、高频
6）电力场效应晶体管（电力MOSFET）（ B ）现象。
A、有二次击穿 B、无二次击穿
C、防止二次击穿 D、无静电击穿
7）用万用表Rx1kΩ测量GTO阳极与阴极间电阻时,若其正、反向电阻都很小，说明两极之间（ B ）。
A、开路 B、短路 C、接线错误 D、测量方法错误
8）具有自关断能力的电力半导体器件称为（ A ）。
A、全控型器件 B、半控器件
C、不控型器件 D、触发型器件
9）IGBT的3个引出电极分别是（ D ）.
A、阳极、阴极、门极 B、阳极、阴极 栅极
C、栅极、源极 漏极 D、发射极、栅极、集电极
1填空题
1）驱动电路的基本任务是鼓浪屿旅游攻略2013就是将信息按照其控制目标的要求，转换为加在电力电子器件控制端和公共端之间，并使其导通或关断的
2）电力电子器件的驱动电路分为电流驱动型和电压驱动型。
3）在驱动电路中采用的隔离环节一般是光隔离和磁隔离。
4）磁隔离的器件通常是 脉冲变压器 ，当脉冲较宽时，为避免铁心饱和，常采用 高频调制 和 解调 的方法。
2.选择题
1）对于功率晶体管的基极驱动电路，驱动电流的后沿应是一个较大的负电流，以利于功率晶体管的（ A ）。
A、导通 B、寿命 C、关断 D、饱和
2）驱动电路是电力电子器件主电路与（ C ）电路之间的接口。
A、缓冲电路 B、保护电路 C、控制电路 D、滤波电路
3）功率晶体管的驱动电路一般有两种类型，即恒流驱动和（ C ）。
A、变流驱动 B、变压驱动 C、比例驱动 D、补偿驱动
填空题
电力电子器件的保护分为 过压保护 和 过流保护两类。
过电压主要表现为开关的开闭引起的冲击电压和雷击或其它的外来冲击电压两种类型。
电力电子器件的缓冲电路有耗能型和 馈能式两类。
耗能式缓冲电路有关断缓冲电路、导通缓冲电路和复合缓冲电路三种。
在晶体管的并联使用中要采取的均流措施是串联电阻法和串联电感法两种。
为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是一个较大的负电流。
抑制过电压的方法之一是用阻容元件吸收可能产生过电压的能量，并使电阻将其消耗。
判断题
（√ ）1）在电力电子器件电极上设置缓冲电路的目的是为了提高电路的可靠性。
（ ×）2）晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。
（ ×）3）为防止“关断过电压”损坏晶闸管，可在管子两端并接压敏电阻。
（ ×）4）雷击过电压可以用RC吸收回路来抑制。
（ ×）5）硒堆发生过电压击穿后就不能在使用了。
（ ×）6）为防止过电流，只需在晶闸管电路中接入快速熔断器即可。
（√ ）7）快速熔断器必须与其他过流保护措施同时使用。
选择题
1）晶闸管两端并联一个RC电路的作用是（ C ）。
A、分流 B、降压 C、过压保护 D、过流保护
2）压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来（ C ）。
A、分流 B、降压 C、过压保护 D、过流保护
3）变压器一次侧接入压敏电阻的目的是为了防止（ B ）损坏晶闸管。
A、关断过电压 B、交流侧操作过电压 C、不变
4）晶闸管变流装置的功率因数比较（ B ）。
A、高 B、低 C、好
5）晶闸管变流器接直流电动机的拖动系统中，当电动机在轻载状况下，电枢电流较小时，交流器输出电流是（ B ）的。
A、连续 B、断续 C、不变
6）可以用过电流继电器作为过电流保护的电力电子器件是( D )。
A、功率晶体管（GTR） B 、IGBT
C、功率MOSFET D、晶闸管
1.填空题
单结晶体管又称为双极二极管，利用它伏安特性的负阻特性和电容充放电，可做成张弛振荡器。
单结晶体管的内部一共有1个PN结，外部一共有3个电极，它们分别是发射极、第一基极社会保险和商业保险的主要区别和第二基极。
单结晶体管的发射极电压高于峰点电压时就会导通，低于谷点电压时就截止。
判断题
（×）1）在电路中接入单结晶体管时，若把b1、b2接反了，就会烧坏管子。
（×）2）单结晶体管组成的触发电路也可以用在双向晶闸管电路中。
（√）３）单结晶体管组成的触发电路输出的脉冲比较窄。
（√）４）单结晶体管组成的触发电路不能很好的满足电感性或反电动势负载的要求。
填空题
晶体管触发电路的同步电压一般有锯齿波同步电压和正弦波电压。
正弦波触发电路的同步移相一般都是采用正弦波同步电压与一个或几个控制电压的叠加，利用改变控制电压的大小，来实现移相控制。
判断题
（ √ ）１）采用正弦波移相触发电路的可控整流电路工作稳定性差。
（ × ）２）正弦波移相触发电路不会受电网电压的影响。
（ √ ）３）晶闸管触发电路与主电路的同步，主要通过同步变压器的不同接线方式来实
现的。
选择题
锯齿波为同步信号的触发电路中，若控制电压保持不变，同步信号的周期也不变，则改变同步电压的（ D ），即能实现移相。
Ａ、幅值 Ｂ、后沿 Ｃ、斜率 Ｄ、前沿
用集成触发电路KC04触发三相全控桥，若KC04的引脚1接至V13的门极，则引脚15接至（ D ）。
Ａ、Ｖ12 Ｂ、Ｖ15 Ｃ、Ｖ14 Ｄ、Ｖ16
为防止晶闸管误触发，应使干扰信号不超过（ B ）。
Ａ、安全区 Ｂ、不触发区 Ｃ、可靠触发区 Ｄ、可触发区
三相桥式全控整流电路的同步相控触发电路，有两种控制方式是（ B ）。
Ａ、垂直控制和横向控制 Ｂ、180。控制和120。控制
Ｃ、时间比控制和瞬时值控制 Ｄ、单极性控制和双极性控制
填空题
单项半波可控整流电路，当电感性负载接续流二极管时，控制角的移相范围为0 ~π。
按负载的性质不同，晶闸管可控整流电路的负载分为电阻性负载，电感性负载和反电动势负载三大类。
当增大晶闸管可控整流的控制角α，负载上得到的直流电压平均值会减小。
当晶闸管可控整流的负载为大电感时负载时，负载两端的直流电压平均值会很小，解决的办法就是在负载的两端并联接一个续流二极管。
把晶闸管承受正压起到触发导通之间的电角度称为学期评语控制角。
判断题
（ ×）１）单向半控桥可控整流电路中，两只晶闸管采用的是“共阳”接法。
（ √）２）对低电压大电流的负载供电，应该用带平衡电抗器的双反星形可控整流装置。
（ ×） ３）增大晶闸管整流装置的控制角α，输出直流电压的平均值会增大。
（ ×） ４）在可控整流电路中电阻性负载对输出电流波形几乎一样。
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