内存颗粒编号识别
内存是计算机不可缺少的部件之一,常用的芯片有现代、三星……但并不是每个DIY的高手们都熟悉刻在内存芯片上编号型号的。现在我们就详细列出内存编号的各项含义。
(1)HYUNDAI(现代)
现代的内存颗粒现在都改名为Hynix了,不过旧颗粒上还是印有HYUNDAI的标志。其SDRAM芯片编号格式为:HY 5<1> <2> V <345> <67> <8> <9> <10> <11.12>-<13.14> s,具体的编号含义可以在现代的网站上到:
(1)HYUNDAI(现代)
现代的内存颗粒现在都改名为Hynix了,不过旧颗粒上还是印有HYUNDAI的标志。其SDRAM芯片编号格式为:HY 5<1> <2> V <345> <67> <8> <9> <10> <11.12>-<13.14> s,具体的编号含义可以在现代的网站上到:
其中HY代表现代的产品:
5<1>表示芯片类型(57=SDRAM,5D=DDR SDRAM);
<2> 代表工作电压(空白=5V,V=3.3V,U=2.5V);
<345> 代表容量和刷新速度(16=16Mbits、4K Ref,64=64Mbits、8K Ref,65=64Mbits、4K Ref,128=128Mbits、8K Ref,129=128Mbits、4K Ref,256=256Mbits、16K Ref,257=256Mbits、8K Ref);
<67> 代表芯片输出的数据位宽(40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位);
<8> 代表内存芯片内部由几个Bank组成(1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank,是2的幂次关系);
<9> 代表接口(0=LVTTL[Low Voltage TTL]接口);
<10> 代表内核版本(可以为空白或A、B、C、D等字母,越往后代表内核越新)代表功耗(L=低功耗芯片,空白=普通芯片);
<11.12>代表封装形式(JC=400mil SOJ,TC=400mil TSOP-Ⅱ,TD=13mm TSOP-Ⅱ,T
G=16mm TSOP-Ⅱ);
<13.14>代表速度(7=7ns[143MHz],8=8ns[125MHz删除浏览记录],10p=10ns[PC-100 CL2或3],10s=10ns[PC-100 CL3],10=10ns[100MHz],12=12ns[83MHz],15=5ns[66MHz])。
<13.14>代表速度(7=7ns[143MHz],8=8ns[125MHz删除浏览记录],10p=10ns[PC-100 CL2或3],10s=10ns[PC-100 CL3],10=10ns[100MHz],12=12ns[83MHz],15=5ns[66MHz])。
另外,以前LGS(LG Semicon)也是韩国的一大内存芯片厂商,但后来被HY兼并。LGS SDRAM内存芯片编号格式为:GM72V <12> <34> <5> 1 <6> <7> <8> <9.10>
其中GM代表LGS的产品;72代表SDRAM;V代表3.3V;<12>代表容量(16=16Mbits,66=64Mbits);<34>表示数据位宽(一般为4、8、16等);<5>代表Bank(2=2个Bank,4=4个Bank);1代表I/O接口:LVTTL;<6>表示内核版本;<7>代表功耗(L=低功耗,空白=普通);<8>代表封装(T=常见的TSOPⅡ封装,I=BLP封装);<9.10>代表速度(7.5=7.5ns[133MHz],8=8ns[125MHz],7K=10ns[PC-100 CL2或3],7J=10ns[100MHz],10K=10ns[100MHz],12=12ns[83MHz],15=15ns[66MHz])。 4399天书奇谈
以上的内存编号只是属于旧编号,下面是现代最新编号的规则,不过大体上还是相同,这里就不再重复了。
最新SDRAM编号
最新DDRRAM编号
2)SEC(Samsung Electronics,三星)
三星内存也是市场上常见的内存芯片之一 。三星SDRAM内存芯片编号规则可以看看下面详细的列表:
三星内存也是市场上常见的内存芯片之一 。三星SDRAM内存芯片编号规则可以看看下面详细的列表:
除了DRAM,我们还可以了解一下RDRAM的芯片编号:
三星RAMBUS DRAM内存芯片编号,以KM418RD8C为例:
KM表示三星内存;
4代表RAM种类(4=DRAM);
18代表内存芯片组成x18(16 = x16、18 = x18);
RD表示产品类型(RD=Direct RAMBUS DRAM);
8代表内存芯片密度8M(4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M);
C代表封装类型(C = 微型BGA、D =微型BGA [逆转CSP]、W = WL-CSP);
80代表速度(60 = 600Mbps、80 = 800Mbps)。即三星8M*18bit=144M,BGA封装,速度800Mbps。
(3)Kingmax(胜创)
Kingmax内存采用TinyBGA的封装方式,所以芯片大小是TSOP封装内存的三分之一。在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍,而且体积更小、更薄,其金属基板到散
热体的最有效散热路径仅有0.36mm,线路阻抗也小,因此具有良好的超频性能和稳定性。
Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种。其中PC150内存实际上是能上150外频且能稳定在CL=3(有些能上CL=2)的极品PC133内存条,该类型内存的REV1.2版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题,因此要好于REV1.1版本。
KINGMAX PC150内存最后两位编号为-6,PC-133内存最后两位编号为-07;而PC100内存芯片有两种情况:部分是-8的(例如编号KSV884T4A0-08),部分是-7的(例如编号KSV884T4A0-07)。
Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种。其中PC150内存实际上是能上150外频且能稳定在CL=3(有些能上CL=2)的极品PC133内存条,该类型内存的REV1.2版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题,因此要好于REV1.1版本。
KINGMAX PC150内存最后两位编号为-6,PC-133内存最后两位编号为-07;而PC100内存芯片有两种情况:部分是-8的(例如编号KSV884T4A0-08),部分是-7的(例如编号KSV884T4A0-07)。
(4)Geil(金邦、原樵风金条)
金邦金条分为“金、红、绿、银、蓝”五种内存条,各种金邦金条的SPD均是确定的,对应不同的主板。其中:
红金条是PC133内存;
金金条针对PC133服务器系统,适合双处理器主板;
绿金条是PC100内存;
自制葡萄酒保质期 蓝A金条针对AMD750/760 K7系主板,面向超频玩家;
蓝V金条针对KX133主板;蓝T金条针对KT-133主板;
银金条是面向笔记本电脑的PC133内存。
金邦内存芯片编号:GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32
其中GL2000代表芯片类型
GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装,金SDRAM=BLP;
GP代表金邦科技的产品;
6代表产品家族(6=SDRAM);
LC代表处理工艺(C=5V Vcc CMOS,LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS,V=2.5V Vdd CMOS);
金金条针对PC133服务器系统,适合双处理器主板;
绿金条是PC100内存;
自制葡萄酒保质期 蓝A金条针对AMD750/760 K7系主板,面向超频玩家;
蓝V金条针对KX133主板;蓝T金条针对KT-133主板;
银金条是面向笔记本电脑的PC133内存。
金邦内存芯片编号:GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32
其中GL2000代表芯片类型
GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装,金SDRAM=BLP;
GP代表金邦科技的产品;
6代表产品家族(6=SDRAM);
LC代表处理工艺(C=5V Vcc CMOS,LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS,V=2.5V Vdd CMOS);
16M8是设备号码(深度*宽度,内存芯片容量 = 行路难 李白内存基粒容量 * 基粒数目 = 16 * 8 = 128Mbit,其中16 = 内存基粒容量;
8 = 基粒数目;
M = 容量单位,无字母=Bits,K=KB,M=MB,G=GB);
4表示版本;
TG是封装代码(DJ=SOJ,DW=宽型SOJ,F=54针4行FBGA,FB=60针8*16 FBGA,FC=60针11*13
FBGA送友人李白,FP=反转芯片封装,FQ=反转芯片密封,F1=62针2行FBGA,F2=84针2行FBGA,LF=90针FBGA,LG=TQFP,R1=62针2行微型FBGA,R2=84针2行微型FBGA,TG=TSOP(第二代),U=μ BGA);
-7是存取时间(7=7ns(143MHz));
AMIR是内部标识号。
以上编号表示金邦千禧条,128MB,TSOP II封装,0.2微米3.3V,Vdd CMOS制造工艺,7ns、143MHz速度。
(5)Winbond(华邦)
8 = 基粒数目;
M = 容量单位,无字母=Bits,K=KB,M=MB,G=GB);
4表示版本;
TG是封装代码(DJ=SOJ,DW=宽型SOJ,F=54针4行FBGA,FB=60针8*16 FBGA,FC=60针11*13
FBGA送友人李白,FP=反转芯片封装,FQ=反转芯片密封,F1=62针2行FBGA,F2=84针2行FBGA,LF=90针FBGA,LG=TQFP,R1=62针2行微型FBGA,R2=84针2行微型FBGA,TG=TSOP(第二代),U=μ BGA);
-7是存取时间(7=7ns(143MHz));
AMIR是内部标识号。
以上编号表示金邦千禧条,128MB,TSOP II封装,0.2微米3.3V,Vdd CMOS制造工艺,7ns、143MHz速度。
(5)Winbond(华邦)
Winbond(华邦)的显存编号和现代差不多,其编号规格为:W <12> <34> <56> <78>
W代表Winbond;
<12>代表显存类型,98为SDRAM,94为DDRRAM;
<34>代表颗粒的容量(08=8Mbits,16=16Mbits,64=64Mbits,12=128Mbits,25=256Mbits)
<56>代表颗粒的位宽(16=16bit,32=32bit,G6=16bitBGA封装,G2=32bitBGA90大寿封装 )
<78>代表颗粒的版本号和封装(7代表版本号,常见的版本号为B和H;8代表封装,H为TSOP封装,B为BGA封装,D为LQFP封装)
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