内存条的种类
内存条的种类
老的内存有FPM、EDO、SDRM，后来的有劳务公司资质怎么办理DDR、DDR2、DDR3、RDRAM
目前能见到的内存有：SDR、DDR、DDR2 ,DDR3三类。比如说DDR 800后面所带的数字表示内存的频率，数字越高速度越快。
内存的价格非常不稳定，没办法讨论其性价比。
性能从低到高分别是：SDR DDR DDR2 DDR3
外观：
SDR一般有两个缺口
DDR1的缺口比较靠外
DDR2的缺口比较靠中间
DDR2代和DDR3代的槽是一样的
其中DDR与DDR2的区别很不明显，DDR是184线接口，DDR2是240线接口，金手指比DDR的要密看标识，上面写的很清，下面用图片来直观的说一下其中的区别吧
延迟问题
在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。
    这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时
要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。
封装和发热量：
    DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。毕淑敏的作品
    DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。
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    DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。
DDR2采用的新技术：
    除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。
    OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。
    ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比
高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。
    Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS电视剧婚变信号永远也不会产生碰撞冲突。
    总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决。
心字组词笔记本上的内存也是是差不多，可以分为EDO、SDRAM、DDR三种
EDO内存：这种内存主要用于古老的MMX和486机型上面，也有部分厂家在PII的笔记本电
脑中仍然使用EDO内存，这种EDO单条最高容量只有64M，而且由于EDO内存的工作电压为5V和现在常用的SDRAM的3.3V相比更费电一些，所以很快就被SDRAM内存所取代。
SDRAM内存：笔记本经历了Pentium时代，CPU的速度已经越来越快，这时Intel公司提出了具有里程碑意义的内存技术----SDRAM。SDRAM的全称是Synchronous Dynamic Random Access Memory(同步动态随机存储器)，就象它的名字所表明的那样，这种RAM可以使所有的输入输出信号保持与系统时钟同步。由于SDRAM的带宽为64Bit，因此它只需要一条内存就可以工作，数据传输速度比EDO内存至少快了25％。SDRAM包括PC66、PC100、PC133等几种规格。
DDR内存：顾名思义：Double Data Rate(双倍数据传输)的SDRAM。随着台式机DDR内存的推出，现在笔记本电脑也步入了DDR时代，目前有DDR266和DDR333等规格，现在在主流的采用Pentium4-M、Pentium-M、P4核心赛扬的机器都是采用DDR内存，也有少量的Pentium3-M的机器早早跨入DDR时代。其实DDR的原理并不复杂，它让原来一个脉冲读取一次资料的SDRAM可以在一个脉冲之内读取两次资料，也就是脉冲的上升缘和下降缘通道都利用上，因此DDR本质上也就是SDRAM。而且相对于EDO和SDRAM，DDR内存更加省电（工作电压仅为2.25V）、单条容量更加大（已经可以达到1GB）。

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