金士顿
KVR***X**（s）C*/***
12
外频3456
延迟时间
78
容量
1.KVR代表kingston value RAM
2.外频速度单位：兆赫
3.一般为X
4. 64为没有ECC；72代表有ECC
5.有S字符表示笔记本专用内存，没有S字符表示普通的台式机或是服务器内存车里有异味怎么办
6. 一般为C C3：CAS=3；
C2.5：CAS=2.5；
C2：CAS=2
7.分隔符号
8.内存的容量
我们以金士顿ValueRAM DDR内存编号为例：
编号为ValueRAM KVR400X64C25/256
这条内存就是.金士顿ValueRAM
外频400MHZ
不带有ECC校验
CAS=2.5
256M内存
HY（现代HYNIX）
现代是韩国著名的内存生产厂，其产品在国内的占用量也很大.
HY的编码规则：
HY 5X X XXX XX X X X X－XX XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
定义：
1、HY代表现代.
2、一般是57，代表SDRAM.
3、工艺：空白则是5V, V是3V, U是2.5V.
4、内存单位容量和刷新单位：16：16M4K刷新；64：64M，8K刷新；65：64M，4K刷新；128：128M，8K刷新；129：128M，4K刷新.
5、数据带宽：40：4位，80：8位，16：16位，32：32位.
6、芯片组成：1：2BANK，2：4BANK；3：8BANK；
7、I／O界面：一般为0
8、产品线：从A－D系列
9、功率：空白则为普通，L为低功耗.
10、封装：一般为TC（TSOP）
11、速度：7：7NS，8：8NS，10P：10NS（CL2&3），10S：10NS，（PC100，CL3），10：10NS，12：12NS，15：15NS
LGS(LG Semicon)
LGS的内存编码规则：
GM 72 X XX XX X X X X X XXX
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定义：
1、GM代表LGS公司.
2、72代表SDRAM.
3、V代表3V电压.
4、内存单位容量和刷新单位：其中：16：16M，4K刷新；17：16M，2K刷新；28：128M，4K刷新；64：64M，16K刷新.65：64M，8K刷新；66：64M，4K刷新.汉语翻译英语
5、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位.
6、芯片组成：1：1BAND，2：2BANK，4：4BANK，8：8BANK
7、I／O界面：一般为1
8、产品系列：从A至F.
9、功耗：空白则是普通，L是低功
10、封装模式：一般为T（TSOP）
11、速度：其中：8：8NS，7K：10NS（CL2），7J（10NS，CL2&3），10K（10NS[一说15NS]，PC66），12（12NS，83HZ），15（15NS，66HZ）
SEC（三星SAMSUNG）
做为韩国著名的电器厂商，三星的重要性不必多说，在内存方面，三星的产量虽然不及上两者大，但是三星一直专注于高品质、高性能的产品.三星的标识不是很容易的就可以读出来，
而且三星的产品线较全，所以品种非常多，此处仅供普通SDRAM参考.
SEC编码规则：
KM4 XX S XX 0 X X XT－XX
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1、KM代表SEC三星，此处编码一般均为4.
2、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位.
3、一般均为S
4、这个数乘以S前边的位数就是内存的容量.
5、一般均为0
6、芯片组成：2：2BANK，3：4BANK
晚餐吃什么最减肥7、I／O界面：一般为0
8、版本号
报社实习报告9、封装模式：一般为T：TSOP
10、功耗：F低耗，G普通
杭州摇号买房11、速度：7：7NS，8：8NS，H：10NS（CL2&3），L：10NS（CL3），10：10NS. Micron（美光）
以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则.
含义：
MT——Micron的厂商名称.
48——内存的类型.48代表SDRAM；46代表DDR.
LC——供电电压.LC代表3V；C代表5V；V代表2.5V.
16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度.
A2——内存内核版本号.
TG——封装方式，TG即TSOP封装.
-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz.
实例：一条MicronDDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造.该内存支持ECC功能.所以每个Bank是奇数片内存颗粒.
其容量计算为：容量32M×4bit×16片/8=256MB（兆字节）.
Winbond（华邦）
含义说明：
WXXXXXXXX
12345
1、W代表内存颗粒是由Winbond生产
2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDRRAM
3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；
4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装
5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHZ
Mosel（台湾茂矽）
台湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够.这颗粒编号为V54C365164VDT45，从编号的6、7为65表示单颗粒为64/8＝8MB，从编号的8、9位16可知单颗粒位
宽16bit，从编号的最后3位T45可知颗粒速度为4.5ns NANYA（南亚）、Elixir、PQI、PLUSS、Atl、EUDAR
南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司，它在全
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