IGBT（绝缘栅双极晶体管）是由BJT（双极晶体管）和MOS（绝缘栅场效应晶体管）组成的复合全控电压驱动功率半导体器件。它具有MOSFET输入阻抗高和GTR开关电压降低的优点。但是FET的压降高，但是FET的压降高，并且FET的压降高。IGBT结合了上述两种器件的优点，具有低驱动功率和低饱和电压。非常适用于直流电压为600V及以上的变流器系统，例如交流电动机，逆变器，开关电源，照明电路，牵引传动等领域。
IGBT模块是一种模块化的半导体产品，由IGBT（绝缘栅双极晶体管芯片）和FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥封装组成；封装好的IGBT模块直接应用于逆变器，UPS等设备。
IGBT模块具有节能，安装维护方便，散热稳定等特点；目前，市场上出售的大多数产品都是此类模块化产品，一般来讲，IGBT也指IGBT模块。随着节能环保理念的推广，此类产品将在市场上越来越普遍。
IGBT是能量转换和传输的核心设备，通常称为电力电子设备的“CPU”。IGBT作为国家战略性新兴产业，已广泛应用于轨道交通，智能电网，航空航天，电动汽车和新能源设备中。
电子器件有哪些IGBT的开关功能是通过添加正向栅极电压为PnP（以前称为NPN）晶体管提供基极电流以使IGBT导通，从而形成沟道。相反，添加反向栅极电压以消除沟道并切断基极电流以关断IGBT。IGBT的驱动方法与MOSFET的驱动方法基本相同，只需要控制输入n沟道MOSFET，因此具有很高的输入阻抗特性。当形成MOSFET的沟道时，空穴（少数载流子）从P+基极注入到n层中以调节n层的电导率以降低n层的电阻，因此IGBT也具有高电压下的低通态电压。
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