9.1 RAM主要由哪几部分组成？各有什么作用？
答：RAM通常由存储器距阵、地址译码器和读/写控制电路组成。存储距阵由许多个存储单元排列而成。在给定地址码后，经地址译码，这些被选中的存储单元由读、写控制电路控制，实现对这些单元的读写操作。
9.2 静态RAM和动态RAM有哪些区别？
答：静态RAM的存储单元为触发器，工作时不需刷新，但存储容量较小。动态RAM的存储单元是利用MOS管具有极高的输入电阻，在栅极电容上可暂存电荷的特点来存储信息的，由于栅极电容存在漏电，因此，工作时需要周期性地对存储数据进行刷新。
9.3 画出4字×4位RAM的单地址结构图。
解：结构图如下：
地址译码器
A0
A1
X0
X1
X3
D0
CS
D1
读写
电路
R/W
X2
“1”
D2
读写
电路
D3
读写
电路
读写
电路
9.4 画出16字×1位RAM的双地址结构图。
解：结构图如下
：
行地址译码器
A2
A3
X0
X1
X3
D0
CS
读写
电路
R/W
X2
列地址译码器
A0
A1
Y0
Y1
Y2
Y3
9.5 画出由512字×1位RAM构成1024字×4位的存储体。
解：结果如下：
10
RAM512×1
▽D
U2
R/W
CS
RAM512×1
▽D
U1
R/W
CS
9
1
1
4
A9
D
R/W
RAM512×1
▽D
U5
R/W
CS
RAM512×1
▽D
U5
R/W
CS
1
1
4
D
1
4
RAM512×1
▽D
U4
R/W
CS
RAM512×1
▽D
U3
R/W
CS
RAM512×1
▽D
U8
R/W
CS
RAM512×1
▽D
U7
R/W
CS
9
9
9
A8~A0
A9~A0
1
1
1
1
A8~A0
9
9.6 画出由512字×4位RAM构成的1024字×8位的存储体
解：结果如下
A
10
RAM512×4
▽D
U2
R/W
CS
RAM512×4
▽D
U1
R/W
CS
9
4
4
8
A9
D
R/W
RAM512×4
▽D
U4
R/W
CS
RAM512×4
▽D
U3
R/W
CS
4
4
8
D
1
8
9
9
9
9.7 ROM有哪几种主要类型?它们之间有何异、同点?
答：可以分为：
掩模型ROM（Mask ROM）
（工厂编程）用户提交码点，在工厂编程
可编程ROM （PROM）
(用户一次编程)出厂保留全部熔丝，用户可编程但不可改写
可改写ROM（ＥＰＲＯＭ）:
（用户多次编程） 光可改写（ＵＶＥＰＲＯＭ）
电可改写（EＥＰＲＯＭ）
9.8 RAM和ROM在电路结构和工作原理上有何不同? 它们各适用于什么场合？
答：比较结果如下：
（1）ROM（或PROM）的存储存矩阵中的存储元件是一般的二极管、三极管或MOS管，它们本身没有记忆功能。对ROM这些元件只在一定交叉点上才有，取决于存储的内容。而RAM的存储矩阵中每个交叉点上均有具有记忆功能的存储元件，如触发器或具有电容的MOS管等。
（2）ROM的存储单元中存入数据不能更改，只能读出。而RAM的存储单元中存入的数据不仅可读出，而且可随时更改，即写入新的数据。
（3）ROM和RAM的地址译码器相同，都是N取一译码器。
（4）ROM的读出电路是单向总线，即单向三态缓冲器。RAM的I/O电路是双向总线，即双向三态缓冲器。
（5）ROM存储的信息是永久的，RAM存储的信息是暂时的，机器失电，信息立即消失。对利用电容存储的动态RAM还要定时进行刷新。
9.9 试比较ROM、PROM和EPROM及E2PROM有哪些异同？
答：相同点：半导体存储器是由许多存储单元组成，每个存储单元可存储一位二进制数0或1。
不同点：只读存储器ROM用于存放固定不变的数据，存储内容不能随便更改。
PROM是可编程只读存储器，EPROM是可擦除的可编程只读存储器。
EEPROM是电擦除的可编程只读存储器。
9.10 PROM、EPROM和E2PROM在使用上有哪些优缺点？
答：PROM是可编程只读存储器。EPROM是可擦除的可编程只读存储器，EEPROM是电擦除的可编程只读存储器，使用最方便。
9.11 只读存储器ROM在运行时具有 Ａ 功能。
A.读/无写 B.无读/写 C.读/写 D.无读/无写
9.12 只读存储器ROM中的内容，当电源断掉后又接通，存储器中的内容 Ｄ 。
A.全部改变 B.全部为0 C.不可预料 D.保持不变
9rom是什么.13 随机存取存储器RAM中的内容，当电源断掉后又接通，存储器中的内容 Ｃ 。
A.全部改变 B.全部为1 C.不确定 D.保持不变
9.14 二极管ROM电路如图P9.14所示。已知A1A0取值为00、01、10、11时，地址译码器输出W0～W3分别出现高电平。根据电路结构，说明内存单元0～3中的内容是什么？图中“·”表示如虚线框所示的二极管连接。
解： ０～３单元的内容分别是：１０１１，０１１０，1101，0111.
9.15 图P9.15是一个位ROM，A2A1A0为地址输入，D3D2D1D0是数据输出，试分别写出D3、D2、D1、D0和A2、A1、A0之间的逻辑函数式。图中“·”表示存储单元有元件。
A1
A0
地址译码器
1
1
1
1
W0
W4
W2
W6
W1
W3
W5
W7
D0
D1
D2
D3
图P9.15
A2
解：从题中可有：
可以取值：０００，００１，０１０，０１１，１００，
１０１，１１０，１１１。
并且从图中也可以得到：
9.16 图P9.16是用16×4位ROM和同步4位二进制进制加法计数器74LS161组成的脉冲分频电路，ROM的点阵图如图P9.15所示。设74LS161的输出初态为Q3Q2Q1Q0＝0000，（1）分析74LS161电路的功能，说明电路的计数长度M为多少？（2）写出输出D3、D2、D1和D0的逻辑表达式，并画出在CP信号连续作用下D3、D2、D1和D0的输出电压波形，说明它们和时钟信号CP的频率之比。
CP
1
D300
D200
D100
D000
CP00
S1
S2
Q000
Q100
Q200
Q300
C
1
R
LD00
A000
A100
A200
A300
D000
D100
D200
D300
74LS161
ROM
EN00
1
图P9.16
输出
解：（1）74161电路的状态图如下：
0000 0001 001000110100010101100111
Q3Q2Q1Q0
1111 11101101 11001011101010011000
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