计算机组成原理实验⼆：RAM实验
计算机组成原理实验 ⽬录：
⼀、实验项⽬名称：RAM实验
⼆、实验⽬的：
了解半导体静态随机读写存储器RAM的⼯作原理及其使⽤⽅法。
掌握半导体存储器的字、位扩展技术。
三、实验内容
◆采⽤1K x 4 的芯⽚，构成1K x 8的存储器。
◆选择五个不连续的存贮单元地址，分别存⼊不同内容，作单个存贮器单元的读/写操作实验。
◆采⽤1K x 4 的芯⽚，构成2K x 4的存储器。
◆必须使⽤译码器进⾏扩展（三输⼊都⽤，接开关）。
◆选择五个不连续的存贮单元地址，分别存⼊不同内容，作单个存贮器单元的读/写操作实验。
◆选⽤适当芯⽚，根据各种控制信号的极性和时序要求，设计出实验线路图。
◆分别设计试验步骤。
◆使⽤开关进⾏数据加载，通过指⽰灯显⽰实验结果，记录试验现象，写出实验报告。给出字扩展试验中每⽚RAM芯⽚的地址范围。
四、实验器材（设备、元器件）：
RAM采⽤两⽚MM2114
隔离部件采⽤74LS125
译码器采⽤74LS138
备注：为简化试验，地址可只⽤低4位（其余地址可接地）。
五、实验数据记录及结果分析：
基本的实验⽅案：
第⼀部分：采⽤1K x 4 的芯⽚，构成1K x 8的存储器。
设计线路：
字扩展的实验操作：
1.初始化：
将k15（74LS125的C信号）推⾄⾼电平，断开开关输⼊。
将k13（RAM⽚选信号）推⾄低电平，选中RAM。
将k14(读写控制)推⾄⾼电平读取状态，以防选地址过程中对沿路数据进⾏修改。
2.写⼊数据：
将k0~k3的四个开关调⾄想要输⼊的地址。
将k4~k11调整⾄想要的⼆进制输⼊值。
将k15（74LS125的C信号）推⾄低电平，连接开关输⼊。
将k14（读写控制）推⾄低电平写⼊状态，写⼊数据。
3.读取数据：
将k14（读写控制）推⾄⾼电平读取状态，断开对RAM的写⼊。
将k15（74LS125的C信号）推⾄⾼电平，断开开关对扽灯泡的影响，读取数据。第⼆部分：采⽤1K x 4 的芯⽚，构成2K x 4的存储器。
设计线路：
位扩展的实验操作：
1.初始化：
将k15（74LS125的C信号）推⾄⾼电平，断开开关输⼊。
将k13（第⼀块RAM⽚选信号）推⾄低电平，选中RAM，
同时确保将k12（第⼆块RAM⽚选信号）推⾄⾼电平，使RAM失效。
计算机的工作原理将k14(读写控制)推⾄⾼电平读取状态，以防选地址过程中对沿路数据进⾏修改。
2.写⼊数据：
将k0~k3的四个开关调⾄想要输⼊的地址。
将k4~k7调整⾄想要的⼆进制输⼊值。
将k15（74LS125的C信号）推⾄低电平，连接开关输⼊。
将k14（读写控制）推⾄低电平写⼊状态，写⼊数据。
3.读取数据：
将k14（读写控制）推⾄⾼电平读取状态，断开对RAM的写⼊。
将k15（74LS125的C信号）推⾄⾼电平，断开开关对灯泡的影响，读取数据。
版权声明：本站内容均来自互联网，仅供演示用，请勿用于商业和其他非法用途。如果侵犯了您的权益请与我们联系QQ:729038198，我们将在24小时内删除。
发表评论