半导体：semiconductior
元素半导体：elemental semiconductor
化合物半导体：compound semiconductor
导电类型：conductivity type
N-型半导体：n-type semiconductor
P-型半导体：p-type semiconductor
空穴：hole
受主：accepter
施主：donor
载流子：carrier
载流子浓度：carrier concentration
多数载流子：majority carrier
少数载流子：minority carrier
杂质浓度：impurity concentration
深能级杂质：deep- level impurity
复合中心：recombination center
补偿：compensation
耗尽层：depletion layer
红外吸收光谱：infrared absorption spectrum
红外吸收系数：infrared absorption coefficient
电阻率(体)：resistivity(bulk)
电导率：conductivity
电阻率允许偏差：allowable resistivity tolerance
径向电阻率变化：radial resistivity vsriation
薄层电阻：sheet resistance
扩展电阻：spreading resistance
二探针：two point probe
四探针：four point probe
迁移率：mobility
霍尔效应：hall effect
霍尔系数：hall coefficient
霍尔迁移率: hall mobility
寿命：lifetime
各向异性：anisotropic
结晶学表示法：crytallographic notation
密勒指数：miller indices
劳埃法：laue method
晶向：crystallographic direction
晶面：crystallographic plane
取向偏离：off-orientation
正向晶向偏离：orthogonal misorientation
主参考面：primary flat
副参考：secondary flat
解理面：cleavage plan
外延面：epitaxial layer
扩散：diffused layer
埋层：buried layer
薄层边界：layer boundary
界面：interface
p-n 结：p-n junction
双极型器件：bipolar devices
集成电路：integrated circuit
晶体：crystal
晶锭：ingotntd
多晶半导体：polycrystalline semiconductor
孪晶：twinned crystal
单晶：single crysal
无位错单晶：zero D sigle crystal
衬底：substrate
化学气相沉积：chemical vapor deposition(CVD)
外延：epitaxy
气相外延：vapor phase epitaxy(VPE)
液相外延：liquid phase epitaxy(LPE)
分子束外延：molecular beam epitaxy(MBE)
同质外延：homoepitaxy
异质外延：heteroepitaxy
溅射法：sputtering method
掺杂：doping
重掺杂：heavy doping
离子注入：ion implanation
自掺杂：autodoping
补偿掺杂：compensation doping
中子嬗变掺杂：neutron transmutation doping(NTD)
掺杂剂：dopant
直拉法：vertical pulling method(Czochralski growth)(CZ)
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