金士顿4G DataTraveler G2 U盘量产失败恢复过程(U19黑片)
如果你对于量产不是很懂，可以来看下我的这次量产失败后恢复U盘的经历可能会给你带来些许提示，我在U盘这方面也是菜得不能再菜了，，，
我应好朋友的邀请去他那里玩，到了后看到U盘，突发奇想弄个量产试试（因为本人虽然没有亲自量产过一次U盘，但偶然的时候看到过别人量产）照着步骤来：
首先用U盘测试软件测试了下U盘的参数，只记得主控是UP19 PS2251-50 ，，（由于当时没有想过会失败就没有截图，，，）
就去网上随便了个UP19主芯片的软件来量产，当时也不知道量产工具分2种黑片和正片，就下载了个来量产，根据里面的教程来，结果一点开始，，，我哭了，，，马上见红！完完全全的失败，我记得我当时还刷了固件呢，因为是根据教程来的，，，接下来我拔下U盘再插就没反应了，，，
接下来的时间我就在百度上U盘量产失败怎么恢复，到了短接flash29和30脚的办法，短接后电脑认到了但是打不开的打开后提示这个
搜索了百度上很多恢复U盘的办法，但是都提示错误，，，想到了，什么软件破坏的就用什么软件恢复这句话，就一心量产工具了，准备在此量产，以毒攻毒，试试运气，，，
了，原来的软件，但是点开始根本没有反应，，，于是就随意的在U19量产工具，发现了这款适用于黑片的量产工具，才发现我以前用的是正片量产工具，想来可能是不匹配所以失败的，就抱着试试的心态上马了，就选了模式3（这个模式的作用，个人认为是恢复原始状态，把以前量产成几个盘的从新量产回来一个盘），别的参数也不看就直接点确定，然后量产了，结果意外的惊喜出现了，到3%失败了，上帝啊，多么让人高兴啊，具体有显示3%失败。以前可都是点开始半天滚动条动都不动下的，直觉告诉我，我对软件了，接下来就是参数了，只要填对就可能让U盘恢复好，，，
就用里的这个软件 检测了下U盘，显示如下
然后就观察比对这个和那个量产工具里设置参数的地方，，，
看了半天什么都没看懂，只看到了VID和PID不同，就把13FE和3100填到量产工具来了，然后直接开始，跳过了3%，突然觉得希望很大
果然，成功了，上图：
然后用U盘测试软件测试了下，一切正常，欣慰，，，
（以上所有的软件网上都有，百度下就好了，，，）
速度上不是很满意，但是能恢复已经是万幸了，没什么要求，，，
虽然成功了，但是我还有一个疑惑希望高手解答，为什么主控芯片本来是UP19，用黑片软件恢复成功后，再次检测发现，主控变UP11~UP14了？难道用错软件了，我拆开看过主控上写的是UP19可软件上是UP11~UP14？？（希望知道的高手告诉我，邮箱是：linxiaodong132@qq）
在这里顺便附上我在网上的一些关于U盘的资料：
黑片和白片的概念：
简单的说，黑片的概念主要用于芯片，白片的概念既用于芯片也用于闪存卡。黑片就是指芯片工厂选出的淘汰的次品，没有打上工厂标，和芯片型号的芯片，这样的芯片都经过个种渠道流通到市场上来，现在很多U盘大厂大量的采购芯片厂选下的坏块多的芯片，经过技术处理，做成产品，来降低他们的成本！白片比黑片好一点质量的，人为的给打上各种标！但不是真正工厂打的标！同时白片也可指白卡，也就是表面什么都没有打的闪存卡。一般闪存行业有黑片，白片，中性卡之说。所谓黑片，主要是指表面没有打上雷刻的Flash芯片，如K9K8G08U0A-PCB0的SLC芯片，没有这个型号打上，就是黑片。白片主要是指表面什么都没有打的闪存卡，连是什么卡都没有标明。中性卡是指表面有打上有Micro SD, SD等字样的闪存卡，但没有打上某指定品牌的LOGO。
U盘中的Downgrade Flash：
1，闪存颗粒采用白板芯片，也就是一些工厂不合格的闪存颗粒，通过非正规渠道进入市场，将颗粒打磨好编号后使用，一般很难查询到上面的颗粒编号出处，而采用了这样颗粒的U盘，使用起来极为不稳定，在同一台电脑上拷贝东西可能不会出现问题，但是在另外一台电脑上可能会出现打不开的情况。
念奴娇赤壁怀古译文2，“升级”U盘，所谓“升级”，并非更换速度更快的控制芯片，也非更换更大容量的闪存颗粒，而是利用专门的软件对U盘信息进行修改，USB1.1的接口可以修改显示成USB2.0，128M容量也可以修改显示成1G，不过这些都只是表面上看到的信息，而实际上其性能和容量是不会发生变化的。
3，采用黑芯片，当一些闪存颗粒损坏后，只有部分容量可以使用，奸商们便打起这些理应销毁颗粒的主意，采用屏蔽损坏区域，或者焊上数颗损坏的颗粒的手段，来达到一定的容量，采用了这种黑芯片的U盘不但传输速度会非常慢，而且出问题的几率相当之大。
耿直
4、用硬件方式来改变。硬件就是利用电路将小容量的U盘人为地让电脑识别成大容量的U盘，因为U盘是必须要用到存储芯片，也就是通常说的闪存，闪存有几个脚是专门用来检测容量的，通过更改这几个脚的电路是可以造成电脑识别故障。
目前市场上流行黑片、白片的说法，都是Downgrade Flash的类型，由于Flash制程和容量的提升，内部的构成越来越复杂。而新的制程推出时，产品良率并不一定理想，那些不良的Flash有些是容量不足，有些是寿命不能达到要求，有些是测试不能通过，这些不能达到出厂要求的Flash都被称为Downgrade Flash。Downgrade Flash有些由厂家推向市场，比
如Spectech等就是镁光(Micron)的Downgrade Flash。而另外一部分作为废品淘汰掉，但是利润驱使，这些废品也会低价被收购流入市场。一些厂家以各种方案的扫描工具(Soting Board)来检验出来哪些能够使用。这些厂家收购Flash按斤回收，通过少则数十台Soting Board，所则上千台Soting Board一同扫描，每天有上百K的产能。大部分Downgrade Flash被做成SD卡，少数用于U盘，极少数厂家用于生产MP3。Downgrade Flash的处理方式多数是降低容量出售。不论怎样处理，都还是存在问题隐患。但由于价格低廉，Downgrade Flash的市场正在进一步成长。已有 1 位网友发表了看法 查看详细页面：flash 所谓的黑片与白片（转）
SLC、MLC和TLC
SLC、MLC和TLC X3(3-bit-per-cell)结婚歌曲 适合婚礼的歌曲架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸，最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料，直到MLC(Multi-Level Cell)技术接棒后，架构演进为1个存储器储存单元存放2位元。 2009年TLC架构正式问世，代表1个存储器储存单元可存放3位元，成本进一步大幅降低。如同上一波SLC技术转MLC技术趋势般，这次也是由NAND Flash春节祝福的话大
厂东芝(Toshiba)引发战火，之后三星电子(Samsung Electronics)也赶紧加入战局，使得整个TLC技术大量被量产且应用在终端产品上。TLC芯片虽然储存容量变大，成本低廉许多，但因为效能也大打折扣，因此仅能用在低阶的NAND Flash相关产品上，象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡microSD或随身碟等。象是内嵌世纪液体应用、智能型手机(Smartphone)、固态硬碟(SSD)等技术门槛高，对于给妈妈的祝福语NAND Flash效能讲求高速且不出错等应用产品，则一定要使用SLC或MLC芯片。
  2010年NAND Flash市场的主要成长驱动力是来自于智能型手机和平板计算机，都必须要使用SLC或MLC芯片，因此这两种芯片都处于缺货状态，而TLC芯片却是持续供过于求，且将整个产业的平均价格往下拉，使得市调机构iSuppli在统计2010年第2季全球NAND Flash产值时，出现罕见的市场规模缩小情况发生，从2010年第1季43亿美元下降至41亿美元，减少6.5%。U盘MP3强制执行费用中使用的SLC、MLC、TLC闪存芯片的区别：    SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命    MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命    TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次。
   
    目前，安德旺科技生产的指纹U盘产品中采用的闪存芯片都是三星MLC中的原装A级芯片。读写速度：采用H2testw v1.4测试，三星MLC写入速度: 4.28-5.59 MByte/s，读取速度: 12.2-12.9 MByte/s。三星SLC写入速度: 8.5MByte/s，读取速度: 14.3MByte/s。需要说明的闪存的寿命指的是写入(擦写)的次数，不是读出的次数，因为读取对芯片的寿命影响不大。面是SLC、MLC、TLC三代闪存的寿命差异        SLC 利用正、负两种电荷  一个浮动栅存储1个bit的信息，约10万次擦写寿命。        MLC 利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储2个bit的信息，约一万次擦写寿命，SLC-MLC【容量大了一倍，寿命缩短为1/10】。        TLC 利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个bit的信息，约500-1000次擦写寿命，MLC-TLC【容量大了1/2倍，寿命缩短为1/20】。        闪存产品寿命越来越短，现在市场上已经有TLC闪存做的产品了鉴于SLC和MLC或TLC闪存寿命差异太大强烈要求数码产品的生产商在其使用闪存的产品上标明是SLC和MLC或TLC闪存产品许多人对闪存的SLC和MLC区分不清。就拿目前热销的MP3随身听来说，是买SLC还是MLC闪存芯片的呢？在这里先告诉大家，如果你对容量要求不高，但是对机器质量、数据的安全性、机器寿命等方面要求较高，那么SLC闪存芯片的首选。但是大容量的SLC闪存芯片成本要比ML
C闪存芯片高很多，所以目前2G以上的大容量，低价格的MP3多是采用MLC闪存芯片。大容量、低价格的MLC闪存自然是受大家的青睐，但是其固有的缺点，也不得不让我们考虑一番。    什么是SLC？SLC英文全称(Single Level Cell——SLC)即单层式储存 。主要由三星、海力士、美光、东芝等使用。  SLC技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄，在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压，然后透过源极，即可将所储存的电荷消除，通过这样的方式，便可储存1个信息单元，这种技术能提供快速的程序编程与读取，不过此技术受限于Silicon efficiency的问题，必须要由较先进的流程强化技术(Process enhancements)，才能向上提升SLC制程技术。  什么是MLC？MLC英文全称（Multi Level Cell——MLC)即多层式储存。主要由东芝、Renesas、三星使用。  英特尔（Intel）在1997年9月最先开发成功MLC，其作用是将两个单位的信息存入一个FloatingGate（闪存存储单元中存放电荷的部分），然后利用不同电位（Level）的电荷，通过内存储存的电压控制精准读写。MLC通过使用大量的电压等级，每个单元储存两位数据，数据密度比较大。SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此，MLC架构可以有比较好的储存密度。    与SLC比较MLC的优势：签于目前市场主要以SLC和MLC储存为主，我们多了解下SLC和MLC储存。SLC架构是0和1两个值，而
MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此MLC架构的储存密度较高，并且可以利用老旧的生产程备来提高产品的容量，无须额外投资生产设备，拥有成本与良率的优势。与SLC相比较，MLC生产成本较低，容量大。如果经过改进，MLC的读写性能应该还可以进一步提升。与SLC比较MLC的缺点：MLC架构有许多缺点，首先是使用寿命较短，SLC架构可以写入10万次，而MLC架构只能承受约1万次的写入。其次就是存取速度慢，在目前技术条件下，MLC芯片理论速度只能达到６MB左右。SLC架构比MLC架构要快速三倍以上。再者，MLC能耗比SLC高，在相同使用条件下比SLC要多15%左右的电流消耗。虽然与SLC相比，MLC缺点很多，但在单颗芯片容量方面，目前MLC还是占了绝对的优势。由于MLC架构和成本都具有绝对优势，能满足2GB、4GB、8GB甚至更大容量的市场需求。
关于选项ECC：
  开放ECC校验是对flash坏块的一种坏区管理策略，采用ECC对每256字节的数据进行ECC校验。
    我不知道这256字节有没有包括非坏块区域。但是一种保守的粗略计算，我开放的是1个字节的ecc，
    那也就是为256字节腾出1字节ecc，而对2048M就得腾出8M的ecc空间，8M对2048M来讲是微不足道的。
然后，对于我自己的这次开放ecc解决容量变小的理解是：
          在我未开放ecc的第一次量产中，udtools直接屏蔽了全部的608个坏块，使得容量由2048降为1746M。
      而在开放1字节ecc的第二次量产中，udtools则只直接屏蔽了16个无法用ecc进行纠错的坏块，而对1字节ecc
            能够纠错的其他592个坏块给予了保留。
          由此可以推测我前年量产后的总容量大概也不足2048M，事实上，我昨天进行了多次量产，
      为了避免分区的额外因素对总容量统计的干扰，我昨天在开放1字节的ecc后又进行了一次单移动盘的量产，
      结果是2010  M，跟我第二次的cdrom+zip的结果差不多。
      也就是说：不开放1字节ecc，直接丢失 608个坏块 302M（2048-1746）的空间，
                而开放1字节ecc，则只丢失 16个坏块和 ecc占用的 38M（2048-2010）空间。
      因此，关于1楼 容量减小 的片面说法，至少我这次的量产经验在事实上对其进行了否定。
既然开放1字节的ecc可以纠错坏块，挽回容量。那么开放2字节ecc不是可以挽回更多容量？
    性能可以从时间和空间两方面来说：
     
            在时间上，我更倾向于猜测 ecc校验会对读写速度造成影响
           
            在空间上，开放ecc对容量有着两面的影响，一是纠错坏块挽回容量，二是ecc校验本身占用容量。
        因此，我们的目的是 从这两面的影响中，到一个折中的最佳平衡点。
  为了伟大的真理，我豁出去了，
       
  用摩罗和舞动de奇迹 给我的9个M币下了 最新版的udtools 1.2.1.0，
  在  开放2字节ecc 的情况下，在U盘涨价高昂的情况下，对我那 可怜的唯一的山寨U盘进行了第N次的单移动盘量产。
  这次量产很快，只用了500多秒（之前1000多秒）就量产完毕。坏快只剩下了 2/4096 也就是两块。
 
  用mydisktest 进行“数据完整性校验”，报告容量为2020M，检验结果显示这2020M没有任何问题。
 
  ”开放越多ecc，挽回容量越多“的说法让我心里没底，我总觉得应该还有什么猫腻吧。
什么？你要我试一下3字节的ecc，欧法克，兄弟饶了我那可怜的U盘，让它歇会儿，也让我歇会儿。
(转载自数码之家）

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