谈内存时序以及内存时序优化
原创作者：不抬杠
最近看到一些网友对内存频率的重要性争论不休，认为内存频率不重要的，只能说对电脑运行的工作原理不了解，对超频知识不了解。
内存的实质是随时写入/读取存储器，是一种高速存储器。CPU 不能直接读取硬盘内的数据进行计算，那么硬盘的数据就要通过内存来实现和CPU 之间的交换，所有的程序运行时候都要调入到内存里才能进一步交换给CPU 计算。如果内存速度（频率）低，会直接影响到内存与CPU 进行数据交换的速度，因此影响到整体的计算速度。
内存频率虽然重要，内存时序优化也很重要。如果内存时序调校得不好，就算CPU 体质再好，频率一样上不去。在主板BIOS 设置中，有以下几个重要的内
存时序参数：
教师节小短句1. DRAM Command Rate 1. DRAM Command Rate（（CMD Rate CMD Rate））
这个参数表示“首命令延迟”。该参数的单位是时钟周期，越小越好。不过，当内存较多且系统工作不太
教师节的祝福稳定时，要将此参数调大。在K8主板上，CMD Rate 的选项有Auto、1T 或2T。品质好一点的内存模组可以使用1T 来提高性能，大
大头贴制作部分主板为了保证更好的兼容性，默认采用了2T 的保守值。
2. CAS# Latency 2. CAS# Latency（（tCL tCL））
CAS 表示“列地址选通脉冲”，在内存寻址后，系统必须等待列地址信号CAS 才能开始进行数据传输，CL 就是列地址脉冲的反应时间，它是衡量内存品质的重要参数之一。通常DDR2内存的tCL=4/5/6，在稳定的前提下，数值越低越好。
3. RAS to CAS Delay 3. RAS to CAS Delay（（tRCD tRCD））
该参数表示“行寻址至列寻址延迟时间”，这个参数主要影响带宽和稳定性，数值越小越好。在超频时大部分内存在设定为5以上时会改善不少稳定性。
4. Row Precharge Timing 4. Row Precharge Timing（（tRP tRP））
该参数表示“行位址预充电时间”，即内存从结束一个行存取操作到重新开始下次操作的间隔时间。和tRCD 类似，tRP 也主要影响带宽和稳定性，数值也
是越小越好。
5. Minimum RAS Active Timing 5. Minimum RAS Active Timing（（tRAS tRAS））
该参数表示“从行激活到预充电开始程序之间的最小时钟周期”，即从收到
一个请求后到初始化RAS 并真正接收数据的间隔时间。
6. Trfc*(0/1/2/3) for DIMM*6. Trfc*(0/1/2/3) for DIMM*（（0/1/2/30/1/2/3））
该参数主要影响带宽和稳定性，可设置为75ns、127.5ns、195ns、327.5ns 等。如果CPU外频在340M Hz以下，建议设置为127.5ns；外频在340M Hz～370M Hz 范围内，建议设置为195ns；外频高于370M Hz时，建议设置为327.5ns。
内存频率及时序优化对CPU系统影响大不大，用EVE R E ST内存读取/写入速
度就可以明确的测出。
虽然K8架构的CPU与I n te l在设置上有些差异，但是其数据交换的工作原
理是相同的。
下面我用数据来说明内存频率及时序优化的重要性。
注：下面所有测试CPU频率不变，保持2.8G的默认频率。
法定节假日规定图1内存默认条件下的读取速度
图2内存默认条件下的写入速度2022年六一儿童节图片
入团申请书格式
图3内存超频和时序优化后的读取速度
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