有源晶振（Oscillator）和⽆源晶振（Crystal）
酱饼⽆源晶振有⼀个参数叫做负载电容（Load capacitance），负载电容是指在电路中跨接晶振两端的总的外界有效电容。负载电容是⼯作条件，即电路设计时要满⾜负载电容等于或接近晶振数据⼿册给出的数值才能使晶振按预期⼯作。
⼀般情况下，增⼤负载电容会使振荡频率下降，⽽减⼩负载电容会使振荡频率升⾼。通过初步的计算发现CL改变1pF，Fx可以改变⼏百Hz。
相关知识点:
⼀、什么是负载电容？
负载是指连接在电路中的电源两端的电⼦元件负载包括容性负载、阻性负载和感性负载三种。电路中不应没有负载⽽直接把电源两极相连，此连接称为短路。常⽤的负载有电阻、引擎和灯泡等可消耗功率的元件。不消耗功率的元件，如电容，也可接上去，但此情况为断路。容性负载的含义是指具有电容的性质（充放电，电压不能突变）即和电源相⽐当负载电流超前负载电压⼀个相位差时负载为容性(如负载为补偿电容)。
负载电容是指晶振的两条引线连接ＩＣ块内部及外部所有有效电容之和，可看作晶振在电路中串接了⼀
个电容。
图中CI,C2这两个电容就叫晶振的负载电容，分别接在晶振的两个脚上和对地的电容，⼀般在⼏⼗⽪法它会影响到晶振的谐振频率和输出幅度，⼀般订购晶振时候供货⽅会问你负载电容是多少。
晶振的负载电容=[(C1*C2)/(C1+C2)]+Cic+△C
式中C1,C2为分别接在晶振的两个脚上和对地的电容,Cic内部电容+△CPCB上电容经验值为3⾄5pf。因此晶振的数据表中规定12pF的有效负载电容要求在每个引脚XIN 与 XOUT上具有22pF 2 * 12pF = 24pF = 22pF + 2pF 寄⽣电容。两边电容为C1,C2，负载电容为：
Cl,Cl=cg*cd/(cg+cd)+a
就是说负载电容15pf的话两边两个接27pf的差不多了。
房产证各种的晶振引脚可以等效为电容三点式。晶振引脚的内部通常是⼀个反相器, 或者是奇数个反相器串联。在晶振输出引脚 XO 和晶振输⼊引脚 XI 之间⽤⼀个连接, 对于 CMOS 芯⽚通常是数 M 到数⼗M 欧之间. 很多芯⽚的引脚内部已经包含了这个电阻, 引脚外部就不⽤接了。这个电阻是为了使反相器在振荡初始时处于线性状态, 反相器就如同⼀个有很⼤增益的, 以便于起振。⽯英也连接在晶振引脚的输⼊和输出之间，等效为⼀个并联谐振回路, 振荡频率应该是⽯英晶体的并联谐振频率。晶体旁边的两
江苏邮编个电容接地, 实际上就是电容三点式的分压电容, 接地点就是分压点。以接地点即分压点为参考点, 振荡引脚的输⼊和输出是反相的, 但从并联谐振回路即⽯英晶体两端来看, 形成⼀个正反馈以保证电路持续振荡。在芯⽚设, 这两个电容就已经形成了, ⼀般是两个的容量相等, 容量⼤⼩依⼯艺和版图⽽不同, 但终归是⽐较⼩, 不⼀定适合很宽的频率范围。外接时⼤约是数 PF 到数⼗ PF, 依频率和⽯英晶体的特性⽽定。需要注意的是: 这两个电容串联的值是并联在谐振回路上的，会影响振荡频率。当两个电容量相等时, 反馈系数是 0.5, ⼀般是可以满⾜振荡条件的, 但如果不易起振或振荡不稳定可以减⼩输⼊端对地电容量, ⽽增加输出端的值以提⾼反馈量。⼀般芯⽚的 Data sheet上会有说明。
给我一杯忘情水最后在简单说⼏点注意的地⽅：
二代水影1.匹配电容-----负载电容是指晶振要正常震荡所需要的电容。⼀般外接电容是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。要求⾼的场合还要考虑ic输⼊端的对地电容。⼀般晶振两端所接电容是所要求的负载电容的两倍。这样并联起来就接近负载电容了。
2.负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容。他是⼀个条件也是⼀个使⽤条件。应⽤时⼀般在给出负载电容值附近调整可以得到精确频率。此电容的⼤⼩主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻。
3.⼀般情况下，增⼤负载电容会使振荡频率下降,⽽减⼩负载电容会使振荡频率升⾼。
4.负载电容是指晶振的两条引线连接IC块内部及外部所有有效电容之和，可看作晶振⽚在电路中串接电容。负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。标称频率相同的晶振负载电容不⼀定相同。因为⽯英晶体振荡器有两个谐振频率,⼀个是串联揩振晶振的低负载电容晶振，另⼀个为并联揩振晶振的⾼负载电容晶振。所以，标称频率相同的晶振互换时还必须要求负载电容⼀⾄，不能冒然互换，否则会造成电器⼯作不正常。
中国头号悍匪
版权声明：本站内容均来自互联网，仅供演示用，请勿用于商业和其他非法用途。如果侵犯了您的权益请与我们联系QQ:729038198，我们将在24小时内删除。
发表评论