第1章 思考题与习题
1.1晶闸管的导通条件是什么? 导通后流过晶闸管的电流和负载上的电压由什么决定?
答：晶闸管的导通条件是：晶闸管阳极和阳极间施加正向电压，并在门极和阳极间施加正向触发电压和电流（或脉冲）。
导通后流过晶闸管的电流由负载阻抗决定，负载上电压由输入阳极电压UA决定。
1.2晶闸管的关断条件是什么? 如何实现? 晶闸管处于阻断状态时其两端的电压大小由什么决定?
答：晶闸管的关断条件是：要使晶闸管由正向导通状态转变为阻断状态，可采用阳极电压反向使阳极电流IA减小，IA下降到维持电流IH以下时，晶闸管内部建立的正反馈无法进行。进而实现晶闸管的关断，其两端电压大小由电源电压UA决定。
1.3温度升高时，晶闸管的触发电流、正反向漏电流、维持电流以及正向转折电压和反向击穿电压如何变化？
答：温度升高时，晶闸管的触发电流随温度升高而减小，正反向漏电流随温度升高而增大，维持电流IH会减小，正向转折电压和反向击穿电压随温度升高而减小。
1.4晶闸管的非正常导通方式有哪几种？
答：非正常导通方式有：(1) Ig=0，阳极电压升高至相当高的数值；(1) 阳极电压上升率du/dt过高；(3) 结温过高。
1.5请简述晶闸管的关断时间定义。
答：晶闸管从正向阳极电流下降为零到它恢复正向阻断能力所需的这段时间称为关断时间。即。
1.6试说明晶闸管有哪些派生器件？
答：快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管等。
1.7请简述光控晶闸管的有关特征。
答：光控晶闸管是在普通晶闸管的门极区集成了一个光电二极管，在光的照射下，光电二极管电流增加，此电流便可作为门极电触发电流使晶闸管开通。主要用于高压大功率场合。
1.8型号为KP100-3，维持电流IH=4mA的晶闸管，使用在图题1.8所示电路中是否合理，为什么?(暂不考虑电压电流裕量)
图题1.8
答：（a）因为，所以不合理。
(b) 因为, KP100的电流额定值为100Ａ，裕量达５倍，太大了。
（c）因为，大于额定值，所以不合理。
1.9 图题1.9中实线部分表示流过晶闸管的电流波形，其最大值均为Im，试计算各图的电流平均值．电流有效值和波形系数。
图题1．9
解：图(a)： IT(AV)==
IT==
Kf==1.57
图(b)： IT(AV)== Im
IT==
Kf==1.11
图(c)： IT(AV)== Im
IT== Im
Kf==1.26
图(d)： IT(AV)==Im
IT== Im
Kf==1.78
图(e)： IT(AV)==
IT==
Kf==2.83
图(f)： IT(AV)==
IT==
Kf==2
1.10上题中，如不考虑安全裕量，问额定电流100A的晶闸管允许流过的平均电流分别是多少?
解：(a)图波形系数为1.57，则有： 1.57=1.57100A , IT(AV) = 100 A
(b)图波形系数为1.11，则有： 1.11=1.57100A , IT(AV)=141.4A
(c)图波形系数为1.26，则有： 1.26=1.57100A , IT(AV)=124.6A
(d)图波形系数为1.78，则有： 1.78=1.57100A , IT(AV)=88.2A
(e)图波形系数为2.83，则有： 2.83=1.57100A, IT(AV)=55.5A
(f)图波形系数为2，则有： 2=1.57100A , IT(AV)=78.5A
1.11某晶闸管型号规格为KP200-8D，试问型号规格代表什么意义?
解：KP代表普通型晶闸管，200代表其晶闸管的额定电流为200A，8代表晶闸管的正反向峰值电压为800V，D代表通态平均压降为。
1.12 如图题1.12所示，试画出负载Rd上的电压波形(不考虑管子的导通压降)。
图题1.12
解：其波形如下图所示：
1.13在图题1.13中，若要使用单次脉冲触发晶闸管T导通，门极触发信号（触发电压为脉冲）的宽度最小应为多少微秒（设晶闸管的擎住电流IL=15mA）？
图题1.13
解：由题意可得晶闸管导通时的回路方程：
可解得 ， ==1
要维维持持晶闸管导通，必须在擎住电流IL以上，即
， 所以脉冲宽度必须大于150µs。
1.14单相正弦交流电源，晶闸管和负载电阻串联如图题1.14所示，交流电源电压有效值为220V。
(1)考虑安全余量，应如何选取晶闸管的额定电压？
(2)若当电流的波形系数为Kf=2.22时，通过晶闸管的有效电流为100A，考虑晶闸管的安全余量，应如何选择晶闸管的额定电流？
图题1.14
解：（1）考虑安全余量, 取实际工作电压的2倍
UT=2202622V, 取600V
（2）因为Kf=2.22, 取两倍的裕量，则：
2IT(AV)
得： IT(AV)=111(A) 取100A。
1.15 什么叫GTR的一次击穿?什么叫GTR的二次击穿?
答：处于工作状态的GTR，当其集电极反偏电压UCE渐增大电压定额BUCEO时，集电极电流IC急剧增大（雪崩击穿），但此时集电极的电压基本保持不变，这叫一次击穿。
发生一次击穿时，如果继续增大U电子器件有哪些CE，又不限制IC，IC上升到临界值时，UCE突然下降，而IC继续增大（负载效应），这个现象称为二次击穿。
1.16怎样确定GTR的安全工作区SOA?
答：安全工作区是指在输出特性曲线图上GTR能够安全运行的电流、电压的极限范围。按基极偏量分类可分为：正偏安全工作区FBSOA和反偏安全工作区RBSOA。正偏工作区又叫开通工作区，它是基极正向偏量条件下由GTR的最大允许集电极功耗PCM以及二次击穿功率PSB，ICM，BUCEO四条限制线所围成的区域。反偏安全工作区又称为GTR的关断安全工作区，它表示在反向偏置状态下GTR关断过程中电压UCE，电流IC限制界线所围成的区域。
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