概念
1.超晶格部分1)超晶格2)组分超晶格3)掺杂超晶格
2.压电效应
3.逆压电效应4正压电效应5.1)接触电势2)温差电势6.迈斯纳效应7.物理磁阻效应8.几何磁阻效应9.内光电效应10.外光电效应11.数值口径12相对湿度13.湿滞回差1
4.霍尔效应1
5.热电效应1
6.热湿电效应1
7.湿滞特性
第一章：
1．形状记忆合金为什么具有形状记忆的功能？
答：马氏体相变过程如图。
将形状记忆合金从高温母相（a）冷却，在低于室温附近的某一温度时，母相（a）变为马氏体相（b），这时的马氏体是由晶体结构相同，结晶方向不同的复数同系晶体构成，同母相相比，各同系晶体都发生了微小变形，但形成同系晶体时避免相互之间形变，从而保证在外形上没有改变。马氏体相中的A面和B 面在足够小的力下即能移位，所以马氏体相材料柔软，易变形，在外力作用下，马氏体向着外力择优的方向变形为变形马氏体相（c）。此材料在加温时，又能返回母相（a），从而恢复形状，马氏体相（b）在温度高于一定程度逆相变点Af 时也能返回高温母相。
一般来说，高温母相只有温度冷却到马氏体相变温度Ms以下时，才开始向马氏体相转变，但在外力作用下，即使温度高于逆相变点（Af），也能形成马氏体相，但此时仅能形成择优方向的变形马氏体，由于在温度高于（Af）时，马氏体相能量不稳定，除去电荷后立即能恢复到母相（a）。
综上可知，形状记忆合金具有形状记忆功能。
2．分析说明温度变化对高纯的Cu，Si及(Cu-Al-Ti-Ni)形状记忆合金电阻率（ρ）的影响
1）Cu(金属)：温度升高散射作用增大，电阻率（ρ）升高；温度下降散射作用减小，电阻率（ρ）下降；
2）Si（半导体）：温度升高晶格散射加剧会使μn减小，但激发产生的载流子增多，使ρ减小占优势，从而使宏观电阻率ρ减小，使Si呈现负温度特性。
3）(Cu-Al-Ti-Ni)形状记忆合金：
①母相立方晶体，晶格畸变小，散射作用弱，ρ小，马氏体相为斜方晶体，晶格畸变大，散射作用大，ρ大。
②相变过程中，混合相看哪相比例大。
③温度升高，散射作用大，ρ增大；温度下降，散射作用小，ρ减小；
④ 实线（降温过程）：母相（高温）→Ms: T减小，ρ减小；Ms →Mf：立方→斜方变化，T减小，ρ增大；Mf→马氏体：T减小，ρ减小。
虚线（升温过程）：马氏体→As: T升高，ρ增大。As→ Af：斜方→立方变化，T升高，ρ减小；Af →母相：T升高，ρ升高
3.超导体处于超导态时应具备哪些特征？如何理解超导体的“零电阻”？
特征：1）零电阻效应（T<Tc，R→0）
2）迈斯纳效应（T<Tc，B=0）
3）临界磁场效应（T<Tc，H>Hc超导态破坏）
4）临界电流效应（T<Tc，I>Ic超导态破坏）
“零电阻”：1）T<Tc，R→0（比常导体的剩余电阻小得多）
2）对直流而言
3）T<Tc，R突变为0
4.电介质中通常会产生那几种极化方式，简要说明。
第二章：
1.基础部分：明确知道什么是缺陷，各种缺陷的表达
2.利用缺陷写化学方程式
3.缺陷受环境影响如何？电子、空穴、缺陷如何变化？
4.掺入高价、低价掺杂后，缺陷平衡方程怎么写？写出电子浓度，缺陷浓度与掺杂浓度的关系。
5.列出缺陷平衡的条件（各种例子，活学活用）
第三章：
1.热敏电阻分为正热敏电阻（PTC），负热敏电阻（NTC）
2.正热敏电阻（p69）六个实验基础，明确六个实验事实，针对六个实验事实，用两个模型：海望--焦克模型，丹尼尔斯模型进行解释，同时需要掌握这两种模型能解释哪类实验。
·PTC效应的实验基础：
(1)材料的电导率与施主杂质含量间呈倒u字形变化关系
(2)不掺杂BaTiO3陶瓷在还原气氛中烧结，不具有PTC效应
(3)只有在氧化气氛中烧结才呈现PTC效应
(4)降温速率越慢，PTC效应越明显
(5)BaTiO3单晶不呈现PTC效应，只有多晶陶瓷才具有PTC效应
(6)PTC效应还与外加电压的大小及频率有明显的依赖关系
·海望焦克模型及其局限性p70p73
海望焦克模型基本观点：
(1)在N型多晶BaTiO3半导体陶瓷材料的晶粒边界存在一个由受主表面态引起
的势垒层，其厚度约为晶粒粒径的1/50。
(2)晶界势垒的高度与材料的相对介电系数成反比。
(3)铁电补偿是决定PTC效应的另一重要因素。
海望-焦克模型的局限性：
(1)PTC效应只出现在施主掺杂的N型BaTiO3材料中。而用还原法制备的N型材料中无PTC效应。
(2)PTC效应的大小与降温过程密切相关。
(3)室温电导率与施主含量呈“n”形关系。
·丹尼尔斯模型要点及其解释的实验事实p73
丹尼尔斯模型的要点：
降温过程中在晶界处产生钡空位VBa，不断向晶粒内扩散以致在晶粒表面由于重掺杂而产生高阻
利用丹尼尔斯模型解释BaTiO3半导体陶瓷PTC效应的有关现象
(1)还原法制备的Ｎ型BaTiO3半导体陶瓷不产生PTC效应
电子器件有哪些(2)PTC效应强烈依赖于降温过程
(3)室温电导率与施主含量呈“n”形关系。
3.NTC热敏电阻：掌握导电结构；与正、负尖晶石之间关系；价键交换的定义，次结构角度解释为何发生价键交换。
与正、负尖晶石之间关系：
在正尖晶石中，A间隙全部为A离子（通常为二价金属离子）所占据，B间隙全部为B离子(通常为三价金属离子)所占据，其通式可写成A2+B3+2O2-4在反尖晶石中，A间隙全部为B离子所占据，B间隙由一半A离子和B离子所占据，其通式B3+(A2+ B3+)O2-4。
而半反尖晶石A间隙只有部分被B离子所占据，其通式为:
(A2+1-x B3+ x)(B3+2-x A2+x )O2-4。
跳跃式导电：电子从一个离子跳到另一个离子，离子间可发生电子交换，即价键交换
价键交换理论认为：导致热敏半导体陶瓷产生高电导的载流子，来源于过渡金属的3d层电子。这些金属离子处于能量等效的结晶学位置上，但具有不同的
价键状态。由于晶格能等效，当离子间距较小时，通过隧道效应，离子间可发生电子交换，即价键交换。在电场作用下，这些电子交换引起载流子沿电场方向产生漂移运动，从而产生导电。
4.热电偶：热电效应定义、接触电势定义（知道其基本表达式）；温差电势；复杂推导不需要
第四章
1．本章重点4-3，表面电导型气敏元件工作原理：掌握N,P型氧化物的气敏机理（能带变化，电子变化等）
N型：
单晶
当A>Ws是，形成表面负电吸附，引起半导体能带变化，由于吸附气体所形成的表面能级位于费米能级之下，将引起半导体导带电子向吸附气体转移，形成表面负电荷吸附。导致半导体表面空穴增多，能带向上弯曲。其结果为半导体电导升高，电阻下降。
当A<Ws是，形成表面正电吸附，引起半导体能带变化，由于吸附气体所形成的表面能级位于费米能级之上，将引起吸附气体电子向半导体导带转移，形成表面正电荷吸附。导致半导体表面空穴减少，能带向下弯曲。其结果为半导体电导下降，电阻升高。
P型：
单晶
当A>Ws是，形成表面负电吸附，引起半导体能带变化，由于吸附气体所形成的表面能级位于费米能级之下，将引起吸附气体空穴向半导体价带转移，形成表面负电荷吸附。导致半导体表面空穴增多，能带向上弯曲。其结果为半导体电导升高，电阻下降。
当A<Ws是，形成表面正电吸附，引起半导体能带变化，由于吸附气体所形成的表面能级位于费米能级之上，将引起半导体价带空穴向吸附气体转移，形成表面正电荷吸附。导致半导体表面空穴减少，能带向下弯曲。其结果为半导体电导下降，电阻升高。
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