微电子器件_电子科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年...
微电子器件_电子科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年
1.‍处于平衡态的PN结，其费米能级EF（      ）。
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答案:
处处相等

2.‌由PN结能带图可见，电子从N区到P区，需要克服一个高度为（      ）的势垒。
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答案:

3.​不考虑势垒区的产生-复合电流，Jdn和Jdp在PN结的势垒区（      ）。
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答案:
均为常数

4.‍正向偏置增加了耗尽层内的载流子浓度且高于其热平衡值，这导致了该区域内载流子出现（      ）过程占优。
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答案:
复合


5.‏对突变PN结，反向电压很大时，可以略去 ，这时势垒电容与（      ）成反比。
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答案:

6.‌在开关二极管中常采用掺金的方法来提高开关管的响应速度。也可采用掺铂、电子辐照、中子辐照等方法，其目的是（       ）。
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答案:
引入复合中心降低少子寿命

7.‏双极晶体管效应是通过改变（      ）。
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答案:
正偏PN结的偏压来控制其附近反偏结的电流

8.‎在缓变基区晶体管中，由于基区中存在内建电场，基区渡越时间变为（      ）。
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答案:

9.‍在测量ICBO时，双极型晶体管的发射结和集电结分别处于（      ）。
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答案:
反偏和反偏

10.‌为了降低基极电阻，通常采用对非工作基区进行（      ）的掺杂。
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答案:
高浓度、深结深

11.‏ICBO代表(      ) 时的集电极电流，称为共基极反向截止电流。
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答案:
发射极开路、集电结反偏 

12.​以下哪些措施可以增大MOSFET的饱和区漏极电流：（      ）。
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答案:
减小栅氧化层厚度

13.‎以下哪些措施可以降低MOSFET的亚阈区摆幅：（      ）。
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答案:
降低衬底掺杂浓度

14.‏以下哪些措施可以防止MOSFET的沟道穿通：（      ）。
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答案:
增加衬底掺杂浓度
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15.​当MOSFET的栅极电压较大时，随着温度的温度升高，漏极电流将（      ）。
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答案:
减小

16.​MOSFET的（      ）是输出特性曲线的斜率，（      ）是转移特性曲线的斜率。

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