半导体实用英日汉总结
半导体实用英语词汇
半导体实用英语词汇
1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing-晶圆验收测试)  ウェーハの受け入れテスト
2. acceptor: 受主，接受器（无线）如B，掺入Si中需要接受电子  アクセプター；受容体
3. ACCESS（アクセス）：一个EDA（Engineering Data Analysis-工程数据分析-エンジニアリングデータ解析）系统
4. Acid：酸（さん）
5. Active device（アクティブデバイス）：有源器件（Active：积极，主动），如MOS FET（非线性，可以对信号放大）
6. Align mark(key)：对位标记 　合わせマーク
7. Alloy：合金（ごうきん）
8. Aluminum：铝（アルミニウム）
9. Ammonia：氨水（アンモニア）
10. Ammonium fluoride：NH4F（氟化铵）弗化アンモニウム
11. Ammonium hydroxide：NH4OH（氢氧化铵）水酸化アンモニウム
12. Amorphous silicon（アモルファスシリコン）：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）
13. Analog（アナログ）：模拟的
14. Angstrom（オングストローム）：A（1E-10m）埃
15. Anisotropic（異方性）：各向异性（如POLY ETCH）
16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）　受け入れ品質のレベル
17. ARC(Antireflective coating反射防止膜)：抗反射层（用于METAL（金属）等层的光刻）
18. Antimony(Sb)锑  アンチモン
19. Argon(Ar)氩  　アルゴン
20. Arsenic(As)砷  砒素（ひそ）
21. Arsenic trioxide(As2O3)　（三酸化砒素）
22. Arsine(AsH3)　 アルシン
23. Asher：去胶机　アッシャー
24. Aspect ratio （アスペクト比）n：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）
25. Auto doping（オートドーピング）：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）
26. Back end（バックエンド）：后段（CONTACT（接触）以后、PCM测试前）
27. Baseline（ベースライン）：标准流程
28. Benchmark（ベンチマーク）：基准
29. Bipolar（バイポーラ）：双极
30. Boat（ボート）：扩散用（石英）舟
31. CD： （Critical Dimension---限界寸法）临界（关键）尺寸。在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽。
32. Character window（キャラクターウィンドウ）：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。
33. Chemical-mechanical polish（化学機械研磨）（CMP）：化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。
34. Chemical vapor deposition（化学蒸着）（CVD）：化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。
35. Chip（チップ）：碎片或芯片。
36. CIM：computer-integrated manufacturing（コンピュータ統合生産）的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。
37. Circuit design（回路設計） ：电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。
38. Clean room（クリーンルーム）：一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。
39. Compensation doping（補償ドーピング）：补偿掺杂。向P型半导体掺入施主杂质或向N型掺入受主杂质。
40. CMOS：complementary metal oxide semiconductor（相補型金属酸化膜半導体）的缩写。一种将PMOS和NMOS在同一个硅衬底上混合制造的工艺（互补金属氧化物半导体）。
41. Computer-aided design（コンピュータ支援設計）（CAD）：计算机辅助设计。
42. Conductivity type（導電型）：传导类型，由多数载流子决定。在N型材料中多数载流子是电子，在P型材料中多数载流子是空穴。
43. Contact（コンタクト）：孔。在工艺中通常指孔1，即连接铝和硅的孔。
44. Control chart（制御図・管理図）：控制图。一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。
45. Correlation（相互関連）：相关性。
46. Cp：工艺能力，详见process capability（プロセス能力・工程能力）。
47. Cpk：工艺能力指数，详见process capability index（プロセス能力指数・工程能力指数）。
48. Cycle time（サイクルタイム）：圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。通常用来衡量流通速度的快慢。
49. Damage（ダメージ）：损伤。对于单晶体来说，有时晶格缺陷在表面处理后形成无法
修复的变形也可以叫做损伤。
50. Defect density（欠陥密度）：缺陷密度。单位面积内的缺陷数。
51. Depletion implant（枯渇インプラント）：耗尽注入。一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。（耗尽晶体管指在栅压为零的情况下有电流流过的晶体管。）
52. Depletion layer（枯渇層）：耗尽层。可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的区域。
53. Depletion width（枯渇幅）：耗尽宽度。53中提到的耗尽层这个区域的宽度。
54. Deposition（堆積クルマレテ）：淀积。一种在圆片上淀积一定厚度的且不和下面层次发生化学反应的薄膜的一种方法。
55. Depth of focus（焦点深度）（DOF）：焦深。
56. design of experiments（実験の設計） (DOE)：为了达到费用最小化、降低试验错误、以及保证数据结果的统计合理性等目的，所设计的初始工程批试验计划。
57. develop（現像）：显影（通过化学处理除去曝光区域的光刻胶，形成所需图形的过程）
58. developer（現像液）：Ⅰ）显影设备； Ⅱ）显影液
59. diborane（ジボラン） (B2H6)：乙，一种无、易挥发、有毒的可燃气体，常用来作为半导体生产中的硼源
60. dichloromethane（ジクロロメタン） (CH2CL2)：二氯甲，一种无，不可燃，不可爆的液体。
61. dichlorosilane（ジクロロシラン） (DSC)：二氯甲硅烷，一种可燃，有腐蚀性，无，在潮湿环境下易水解的物质，常用于硅外延或多晶硅的成长，以及用在沉积二氧化硅、氮化硅时的化学气氛中。
62. die（ダイス）：硅片中一个很小的单位，包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上的部分划片槽区域。
63. dielectric（誘電体）：Ⅰ）介质，一种绝缘材料； Ⅱ）用于陶瓷或塑料封装的表面材料，可以提供电绝缘功能。
64. diffused layer（拡散層）：扩散层，即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中，在临近硅表面的区域形成与衬底材料反型的杂质离子层。
65. disilane （ジシラン）(Si2H6)：乙硅烷，一种无、无腐蚀性、极易燃的气体，燃烧时能产生高火焰，暴露在空气中会自燃。在生产光电单元时，乙硅烷常用于沉积多晶硅薄膜。
66. drive-in（ドライブイン）：推阱，指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散。
67. dry etch（ドライエッチング）：干刻，指采用反应气体或电离气体除去硅片某一层次中未受保护区域的混合了物理腐蚀及化学腐蚀的工艺过程。
68. effective layer thickness（効果的な層の厚さ）：有效层厚，指在外延片制造中，载流子密度在规定范围内的硅锭前端的深度。
69. EM：electromigration（エレクトロマイグレーション），电子迁移，指由通过铝条的电流导致电子沿铝条连线进行的自扩散过程。
70. epitaxial layer（エピタキシャル層）：外延层。半导体技术中，在决定晶向的基质衬底上生长一层单晶半导体材料，这一单晶半导体层即为外延层。
71. equipment downtime（機器のダウンタイム）：设备状态异常以及不能完成预定功能的时间。
72. etch（エッチ）：腐蚀，运用物理或化学方法有选择的去除不需的区域。
73. exposure（露出）：曝光，使感光材料感光或受其他辐射材料照射的过程。
74. fab（ファブ）：常指半导体生产的制造工厂。
75. feature size（特徴サイズ）：特征尺寸，指单个图形的最小物理尺寸。
76. field-effect transistor（電界効果トランジスタ）（FET）：场效应管。包含源、漏、栅、衬四端，由源经栅到漏的多子流驱动而工作，多子流由栅下的横向电场控制。
77. film（フィルム）：薄膜，圆片上的一层或多层迭加的物质。
78. flat（フラット）：平边
79. flat band capacitance（フラットバンド容量）：平带电容
80. flat band voltage（フラットバンド電圧）：平带电压
81. flow coefficient（流量係数）：流动系数
82. flow velocity（流速）：流速计

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