ICPMS测试方法以及ICPMS扫描平台
（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利申请
怎么申请icp（10）申请公布号 CN110634762A（43）申请公布日 2019.12.31
（21）申请号 CN201910908564.8
（22）申请日 2019.09.25
（71）申请人 上海华力集成电路制造有限公司
    地址 201203 上海市浦东新区良腾路6号
（72）发明人 吕亚冰;岳思宇
（74）专利代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司
    代理人 戴广志
（51）Int.CI
权利要求说明书  说明书  幅图
（54）发明名称
    ICPMS测试方法以及ICPMS扫描平台
（57）摘要
    本申请公开了一种ICPMS测试方法以及ICPMS扫描平台，该方法包括：对硅片进行刻蚀；将刻蚀过的硅片固定在ICPMS扫描平台；使VPD液滴在硅片表面滚动，收集硅片表面的金属成份，通过倾斜硅片利用VPD液滴的重力降低VPD液滴在硅片表面的残留；将VPD液滴雾化后进行光谱分析，计算得到VPD液滴中的金属成份含量。本申请通过在ICPMS测试过程中，使VPD液滴在硅片表面滚动收集硅片表面的金属成份时，通过倾斜硅片利用VPD液滴的重力降低了VPD液滴在硅片表面的残留，提高了ICPMS测试的测试结果的准确性和稳定性。
法律状态
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-12-31
公开
公开
2019-12-31
公开
公开
2020-01-24
实质审查的生效
实质审查的生效

权利要求说明书
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说明书
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