微电子学专业
专业简介
学科:理学
门类:电子信息科学类
专业名称:微电子学专业
本专业培养掌握微电子学专业的基本知识、基本理论和基本实验技能,并在科学研究、新技术开发和生产应用等方面得到良好训练,能在微电子学、计算机应用以及有关交叉学科中从事科研、教学、科技开发、工程技术、生产管理与行政管理等工作的高级专门人才。
专业排名
排名 | 学校名称 | 等级 | 排名 | 学校名称 | 等级 | 排名 | 学校名称 | 等级 |
1 | 电子科技大学 | A+ | 4 | 北京大学 | A | 7 | 南开大学 | A |
2 | 西安电子科技大学 | A+ | 5 | 上海交通大学 | A | |||
3 | 复旦大学 | A | 6 | 吉林大学 | A | |||
B+等(10个):西安交通大学、西安理工大学、兰州大学、山东大学、广东工业大学、合肥工业大学、西安科技大学、桂林电子科技大学、江南大学、华东师范大学 | ||||||||
B等(10个):中北大学、苏州大学、重庆邮电大学、中山大学、四川大学、天津工程师范学院、上海大学、中南大学、湘潭大学、长春理工大学 | ||||||||
C等(7个):名单略 | ||||||||
专业信息
培养目标:本专业培养掌握微电子学专业所必需的基础知识、基本理论和基本实验技能,能在微电子学及相关领域从事科研、教学、科技开发、工程技术、生产管理与行政管理等工作的高级专门人才。
培养要求:本专业学生主要学习微电子学的基本理论和基本知识,受到科学实验与科学思维的基本训练,具有良好科学素养,掌握大规模集成电路及新型半导体器件的设计、制造及测试所必需的基本理论和方法,具有电路分析、工艺分析、器件性能分析和版图设计等的基本能力。毕业生应获得以下几方面的知识和能力:
◆掌握数学、物理等方面的基本理论和基本知识;
◆掌握固体物理学、电子学和VLSI设计与制造等方面的基本理论和基本知识,掌握集成电路和其它半导体器件的分析与设计方法,具有独立进行版图设计、器件性能分析和指导VLSI工艺流程的基本能力;
◆了解相近专业的一般原理和知识;
◆熟悉国家电子产业政策、国内外有关的知识产权及其它法律法规;
◆了解VLSI和其它新型半导体器件的理论前沿、应用前景和最新发展动态,以及电子产业发展状况;
◆掌握资料查询、文献检索及运用现代信息技术获取相关信息的基本方法;具有一定的实验设计,创造实验条件,归纳、整理、分析实验结果,撰写论文,参与学术交流的能力。
主干学科:电子科学与技术。
主要课程:半导体物理及实验、半导体器件物理、集成电路设计原理、集成电路工艺原理、集成电路CAD、微电子学专业实验和集成电路工艺实习等。
实践教学:包括生产实习、毕业论文(设计)等。一般安排10—20周。主要专业实验:计算机辅助工艺模拟、计算机辅助版图设计。
修业年限:4年。
授予学位:理学或工学学士学位。
相近专业:电子信息科学与技术、物理学、电子科学与技术。
原专业名:微电子学。
就业数据
表1 微电子学专业地区流向百分比(%)
北京 | 天津 | 河北 | 山西 | 内蒙 | 辽宁 | 吉林 | 黑龙 江 | 上海 | 江苏 | 浙江 | 安徽 | 福建 | 江西 | |
2002年 | 10.43 | 4.35 | 0.00 | 0.00 | 0.87 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 33.04 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 |
2003年 | 1.67 | 7.50 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.83 | 0.00 | 18.33 | 0.83 | 0.83 | 0.00 | 0.00 | 0.00 |
2004年 | 6.91 | 9.57 | 1.60 | 0.00 | 0.00 | 1.06 | 6.38 | 0.53 | 12.77 | 13.83 | 4.79 | 0.53 | 0.00 | 0.00 |
2005年 | 3.69 | 6.56 | 0.41 | 0.00 | 0.00 | 3.28 | 3.69 | 0.00 | 21.31 | 20.90 | 6.15 | 0.82 | 0.41 | 0.00 |
2006年 | 7.65 | 6.60 | 0.79 | 0.53 | 0.00 | 0.79 | 2.64 | 0.26 | 21.37 | 12.14 | 7.92 | 4.22 | 2.11 | 0.29 |
2007年 | 3.80 | 3.80 | 0.95 | 0.24 | 0.24 | 1.90 | 0.71 | 0.71 | 19.48 | 14.96 | 2.85 | 3.56 | 3.33 | 0.48 |
2008微电子学就业前景年 | 2.53 | 12.80 | 0.95 | 0.32 | 0.47 | 1.42 | 0.63 | 0.47 | 9.64 | 10.90 | 2.21 | 3.32 | 4.90 | 0.47 |
山东 | 河南 | 湖北 | 湖南 | 广东 | 广西 | 海南 | 重庆 | 四川 | 贵州 | 云南 | 西藏 | 陕西 | 甘肃 | 青海 | 宁夏 | 新疆 |
0.87 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 7.83 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 |
0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.83 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 |
3.19 | 3.19 | 1.06 | 0.53 | 7.45 | 1.06 | 0.00 | 3.19 | 18.09 | 0.53 | 0.00 | 0.00 | 3.72 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 |
4.92 | 1.23 | 0.41 | 0.41 | 12.30 | 0.41 | 0.00 | 1.64 | 6.56 | 0.00 | 0.41 | 0.00 | 3.69 | 0.00 | 0.41 | 0.00 | 0.41 |
2.90 | 0.79 | 0.53 | 0.19 | 10.55 | 0.26 | 0.26 | 1.06 | 6.07 | 1.32 | 0.79 | 0.00 | 4.22 | 2.11 | 0.00 | 0.53 | 0.53 |
4.99 | 2.85 | 0.71 | 0.48 | 9.50 | 0.71 | 0.00 | 2.85 | 5.46 | 0.95 | 0.95 | 0.00 | 2.38 | 9.74 | 0.24 | 0.48 | 0.71 |
5.21 | 1.74 | 1.11 | 0.79 | 22.27 | 0.00 | 0.16 | 1.42 | 7.11 | 1.74 | 0.16 | 0.00 | 2.84 | 4.11 | 0.00 | 0.16 | 0.16 |
表2 微电子学专业单位性质流向百分比(%)
机关 | 科研 设计 单位 | 高等 学校 | 其他 教学 单位 | 医疗 卫生 单位 | 其他 事业 单位 | 金融 单位 | 国有 企业 | 三资 企业 | 其他 企业 | 部队 | 自主 创业 | 自由 职业 | 其他 灵活 就业 | 录取 研究 生 | 出国 | 就业 率 | 待就 业率 | |
2002年 | 0.87 | 9.57 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 7.83 | 12.17 | 24.35 | 1.74 | 0.00 | - | - | 33.04 | 9.57 | 99.13 | 0.87 |
2003年 | 0.00 | 0.83 | 0.83 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 3.33 | 19.17 | 1.67 | 0.00 | 0.00 | - | - | 45.00 | 15.00 | 85.83 | 14.17 |
2004年 | 1.11 | 8.06 | 0.56 | 0.00 | 0.00 | 1.67 | 0.56 | 6.11 | 11.39 | 12.50 | 1.11 | 1.11 | - | - | 38.33 | 9.17 | 91.67 | 8.33 |
2005年 | 0.43 | 3.89 | 0.22 | 0.22 | 0.00 | 2.81 | 0.00 | 6.05 | 14.04 | 18.14 | 0.22 | 0.00 | 0.22 | 0.00 | 40.82 | 4.32 | 91.35 | 8.65 |
2006年 | 0.91 | 5.00 | 0.30 | 0.00 | 0.00 | 0.61 | 0.30 | 7.27 | 18.79 | 13.33 | 0.76 | 0.91 | 0.00 | 2.58 | 31.67 | 6.67 | 89.10 | 10.90 |
2007年 | 0.85 | 1.70 | 0.28 | 0.14 | 0.00 | 0.71 | - | 10.09 | 15.06 | 14.49 | 1.99 | 1.28 | 0.43 | 3.84 | 34.52 | 3.55 | 88.93 | 11.07 |
2008年 | 0.27 | 1.25 | 0.36 | 0.00 | 0.00 | 0.36 | - | 2.94 | 17.83 | 17.20 | 2.14 | 0.27 | 1.25 | 4.72 | 37.97 | 1.81 | 88.37 | 11.63 |
综合介绍
微电子学(Microelectronics),简单说,就是研究微型芯片的专业。它包括芯片的电路设计、器件制作、生产工艺、性能测试等环节。国内各高校的微电子专业多出自于无线电专业(即电子工程),是比较新的。由于微电子研究的领域直接支撑着IT产业的硬件发展,可以说没有微电子技术的发展,现在的计算机、互联网的进步都是不可想像的。试想一下从占了几间屋子的第一台计算机ENIAC到只有一张A4纸大小,跟手指一样厚的最新型笔记本电脑,计算机技术的突飞猛进,本身就是微电子产业迅猛发展的最好注释。微电子产品每18个月体积小一半、成本减一半的摩尔定律也堪称现代工业发展的一个奇迹。微电子技术的应用使得电子产品已经“微”到了可以放在手掌上,如移动电话、文曲星、MP3随身听、商务通,看到这些精巧实用的电子产品,谁能不为微电子这样一个专业折服呢?因此,选择微电子,不仅站到了技术发展的最前端,而且更是拥有了前途宽广、大有可为的未来。
微电子,同“微”和“电”两个字自然分不开。本专业所学的课程则兼有电子与物理两方面特征。课程基本上可以分为两类,跟电路设计有关的课程以及跟半导体物理有关的课程。一般说来,擅长物理、精于逻辑分析、有较强理解能力的同学,学起来不很吃力。同时,由于该专
业同技术应用密切相关,也需要你有一定的动手能力。微电子专业培养人才有如下两个方向:第一,进行理论研究及开发性创新实验;第二,进行技术类的产品开发。第一类需要专业素质高,理论基础踏实的人,而且要有一定的创新精神;第二类要求动手能力强,技术水平高的人。简单说来就是偏理与偏工的区别。
既受IT产业蓬勃发展的影响而突飞猛进,本身又反过来极大地推动了信息产业的发展,这种良性互动使得微电子专业在各学校中成为比较热门的专业。如果考生对自己的成绩比较有信心,不妨报考微电子专业,当然挑战与机遇并存,竞争激烈应该是无可避免的,风险比较大。国内很多大学都开设微电子专业,大部分是挂靠在电子工程/信息/通信学院下面。在各高校的微电子专业中,受到条件限制,大多数培养的是上面提到的第一类人才,第二类人才必须有生产线才能培养,目前各高校及科研院所中清华大学微电子学研究所跟中国科学院微电子学研究中心各有一条生产线,水平在国内居于领先地位。当然,其他一些学校像北京大学、复旦大学、北京邮电大学、西安电子科技大学的微电子学研究水平也是相当不错的。
谈到所谓“前途”问题,微电子专业无需置疑。出国、考研、工作可谓路路畅通。由于国外信息产业的迅猛发展,对这方面人才,特别是对技术开发类人才的需求非常大。同样,国内由
于重点发展信息产业,特别是入世之后,对微电子人才的需求量也同样是相当可观的,不仅大量国外知名企业,如IBM(国际商用机器公司)、Intel(英特尔)、Cisco(思科)、Motorola(摩托罗拉)等,而且很多国内的大型IT公司,像联想、华为、华虹都需要这方面的人才,在这些公司工作不但发展机会好、工作环境宽松,报酬也颇为丰厚。获得硕士或者博士学位后,出国或者在国内工作这两条路将变得更加开阔。
微电子行业的发展非常迅速,用日新月异来形容一点也不为过,但国内的微电子工业水平整体还比较低,与国外的差距很大,挑选这个专业就意味着将面临国际同行的巨大压力,但这对于那些自信而又勤奋的考生来说就不算什么了,因为你在这个专业中可以得到很多。
专业教育发展史
随着第三次工业革命的兴起,硅作为一种新材料引起世人的重视,微电子作为一个独立的专业逐渐从物理学中分离出来。第三次工业革命起源于美国,因此,微电子专业也首先从美国兴起。在现在知识经济时代,信息技术是基础和支柱,而微电子技术又是信息技术的基础和支柱,因此微电子引起世界各国的高度重视,都积极发展微电子专业教育,为微电子工业培养研究开发人才。
美国对微电子专业的教育是相当重视的,在美国的“麻省理工大学”、“斯坦福大学”等世界知名大学都设有微电子专业,并视为国家重点学科。美国的微电子研究所遍布美国大部分高校,并且对微电子研究的投资是相当巨大的。
微电子学在我国起步较晚,在五六十年代,作为半导体物理专业研究。随着改革开放,我国现代化建设对微电子人才需求迫切,微电子专业逐渐发展并普及起来。现在,北京大学、清华大学、南开大学、西安交通大学等大部分重点院校都设有微电子专业。
从建国到现在,我国在微电子领域取得了辉煌的成就,这些成就的取得离不开一批微电子科研人员和高校知名教授的共同努力。王阳元同志是我国微电子的先驱,现任北京大学微电子研究所所长,中科院院士,主要从事微电子新工艺新器件新结构集成电路、微机电系统(MEMS)等方面的研究,已经出版著作5部,发表学术论文150余篇,获得国家发明奖、教育部科技进步奖等13项国家和部委级奖励。刘训春同志作为中科院微电子中心课题负责人,曾长期从事硅双极高速集成电路的研究。研制成功当时在国内领先的肖特基TTL和ECL等电路及等平面隔离等技术。近几年来,从事CaAs器件的研究。首次报导了在高温退火时砷蒸汽对难溶金属Au/WSiN栅的影响并研究成功高跨导、亚微米Au/WSiN栅自对准GaAs器件。圆
满完成了“七五”和“八五”攻关课题研究。张利春同志任北京大学教授,主要从事多晶硅发射极超高速器件及集成电路技术、GeSi异质结双极器件及其集成电路,多晶硅技发射极和GeSi异质结高频功率晶体管等方面的理论模型、器件结构、工艺技术和电路设计的研究工作。已发表学术论文80余篇,获国家发明专利3项,获全国科学大会奖、国家重大科技成果奖、国家教委科技进步奖等8项国家和部委级奖励。
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