一种高抗辐射加固VDMOS栅氧反向击穿制备方法
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号 CN 114520150 A
(43)申请公布日 2022.05.20
(21)申请号 CN202210142934.3
几号立秋2022(22)申请日 2022.02.16
(71)申请人 中国电子科技集团公司第五十八研究所
    地址 214000 江苏省无锡市滨湖区惠河路5号
(72)发明人 徐海铭 贺琪 廖远宝 吴素贞 徐政 唐新宇
(74)专利代理机构 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙)
    代理人 郑婷婷;杨立秋
(51)Int.CI
      H01L21/336
      H01L21/28
      H01L21/02
      H01L29/423
                                                                  权利要求说明书 说明书 幅图
(54)发明名称
      一种高抗辐射加固VDMOS栅氧反向击穿制备方法
(57)摘要
      本发明公开一种高抗辐射加固VDMOS栅氧反向击穿制备方法，属于MOSFET制备领域。提供衬底，在其表面形成外延层；按照P阱光罩的图形制作形成P阱形貌；制作源端和体接触端；在表面生长栅氧氧化SiO2形成栅氧氧化层；在栅氧氧化层表面注入Si粒子；进行多晶硅淀积、光刻和腐蚀，形成多晶栅控制端。本发明在栅氧上进行Si粒子注入和多晶氧化工艺，使有更多的Si粒子与多晶硅形成Si‑Si键，通过形成Si‑Si键可以更好提升上界面的稳定性，消除悬挂键，减少由于上界面缺陷导致氧化层反向电场强度不足问题，从而了消除芯片发生单粒子栅烧毁和栅氧击穿；加工工艺简单，未增加新工序，可控性强，具有很强的可操作性。
法律状态
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-05-20
公开
发明专利申请公布
2022-06-07
实质审查的生效IPC(主分类):H01L21/336专利申请号:2022101429343申请日:20220216
实质审查的生效
权 利 要 求 说 明 书
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说  明  书
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