(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书 | ||
(10)申请公布号 CN 114520277 A (43)申请公布日 2022.05.20 | ||
(21)申请号 CN202210147022.5
(22)申请日 2022.02.17
(71)申请人 中国电子科技集团公司第五十八研究所
地址 214000 江苏省无锡市滨湖区惠河路5号
(72)发明人 杨强 谢儒彬 陈全胜 张明 葛超洋 吴建伟
(74)专利代理机构 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 郑婷婷;杨立秋
(51)Int.CI
H01L31/18
H01L23/552
H01L31/0352
H01L31/107
权利要求说明书 说明书 幅图 |
(54)发明名称
一种抗辐照硅基雪崩光电二极管的制备方法及结构 | |
(57)摘要
本发明公开一种抗辐照硅基雪崩光电二极管的制备方法及结构，属于雪崩光电二极管领域。在P‑雪崩区、N+有源区的两侧引入Trench隔离结构，并在Trench隔离结构边缘的Si内进行抗辐照加固注入。Trench隔离结构可阻断辐照引起的漏电通道，提高了硅基APD器件抗辐照能力；另一方面，Trench隔离结构可隔离掉常见APD器件中N保护环与P外围环结构，使得器件结构更简单、尺寸更小，一片晶圆上可得到更多器件，且不需要N保护环与P外围环等相应掩模版及光刻过程，简化了制备工艺，降低了生产成本。 | |
法律状态
法律状态公告日 | 法律状态信息 | 法律状态 |
2022-05-20 | 公开 | 发明专利申请公布 |
2022-06-07 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L31/18专利申请号:2022101470225申请日:20220217 | 实质审查的生效 |
权 利 要 求 说 明 书
【一种抗辐照硅基雪崩光电二极管的制备方法及结构】的权利说明书内容是......请下载后查看
说 明 书
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