FLASH芯片制作过程
FLASH芯片制作过程
1.硅片加工:首先,从硅石中提炼出高纯度的硅,然后使用化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)技术,在硅片上形成硅层。接着,使用光刻和蚀刻技术,在硅片上形成源和漏极。
2.电介质层制作:使用CVD或PVD技术,在硅片上形成电介质层,该层用于隔离不同的电极。
3.金属电极制作:使用光刻和蚀刻技术,在电介质层上形成金属电极,以连接源和漏极。
4.控制门电极制作:通过光刻和蚀刻技术,在硅片上形成控制门电极,这是用于控制FLASH芯片的数据存储和读取的关键电极。
制作flash5.氧化物形成:在硅片的表面形成一层氧化物薄膜(SiO2),以提供一种保护层并启用浮栅结构的构成。
6.浮栅层形成:使用PVD技术,将浮栅层的材料沉积在氧化物层上,然后使用光刻和蚀刻技术,将浮栅层形状定义为准格子结构。
7.隔离层制作:使用CVD技术,在浮栅层上形成隔离层,以隔离不同的存储单元。
8.接触层制作:使用光刻和蚀刻技术,将接触层的材料定义为与源/漏极和控制门电极之间的连接。
9.陷阱层形成:使用CVD技术,在隔离层上形成陷阱层,用于增加FLASH芯片的容纳能力。
10.上层隔电层形成:使用CVD技术,在陷阱层上形成上层隔电层,以增加FLASH芯片的稳定性和耐久性。
11.顶层电极制作:使用光刻和蚀刻技术,在上层隔电层上形成顶层电极,以连接FLASH芯片的上下电极。
12.金属包封:最后一步是将金属封装到芯片上,以保护芯片免受外界环境的影响。
以上是FLASH芯片制作过程的主要步骤,每个步骤都需要高度的精确性和耐心。制作过程并不仅仅限于上述步骤,因为每个制造商可能会有自己的工艺和技术变化。但总体上,这些步骤涵盖了一个典型的FLASH芯片的制作过程。

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