实验二MOS反相器电压传输特性
实验二MOS反相器电压传输特性
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电阻型MOS反相器
截屏1.参照讲义，请将电阻型MOS反相器的电路连接图（chematic）截屏并
粘贴到以下空白处（包含I/OPin以及电压源）：
2.将其中NMOS管参数设为L=0.18um，W=1um，电阻R为5kΩ，试运行
仿真得到其对应的电压传输特性曲线Vout-Vin，观察并记录VM以及VOH，并截屏粘贴到以下空白处（包含Vout=Vin的参考线）
3.在模拟环境（AnalogEnvironment）中设置“plottingmode”为“Append”，
然后将电阻值改为10kΩ和20kΩ，将三组电压传输特性曲线plot在同一个窗口中，观察并记录VM以及VOL随电阻R的变换，并将窗口截屏粘贴到以下空白处：
4.通过修改电阻R的值，将VOL调整到20mV以下，记录对应的电阻值并
将其电压传输特性曲线窗口截屏粘贴到以下空白处：
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增强/增强型MOS反相器（EEMOS）
1.参照讲义，请将EEMOS反相器的电路连接图（chematic）截屏并粘贴
到以下空白处（包含I/OPin以及电压源，注意负载管衬底的接法）：
2.将其中驱动管参数设为L=0.18um，W=1um，并将负载管也设成同样参
数，试运行仿真得到其对应的电压传输特性曲线Vout-Vin，观察并记录VM以及VOH，注意其阈值损失（Vdd-VOH），最后将曲线窗口截屏粘贴到以下空白处（包含Vout=Vin的参考线）
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3.在模拟环境（AnalogEnvironment）中设置“plottingmode”为“Append”，
然后将负载管参数改成2倍（即L=0.18um，W=2um）和0.5倍（即L=0.18um，W=0.5um），将三组电压传输特性曲线plot在同一个窗口中，观察并记录VM以及VOL随负载管参数的变换，并将窗口截屏粘贴到以下空白处：
4.通过修改驱动管和负载管的宽长比，将VOL调整到50mV以下，记录对
应的两个管的宽长尺寸，并将其电压传输特性曲线窗口截屏粘贴到以下空白处：
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CMOS反相器
1.参照讲义，请将CMOS反相器的电路连接图（chematic）截屏并粘贴到以下
空白处（包含I/OPin以及电压源，注意PMOS管衬底的接法）：
2.将其中NMOS管参数设为L=0.18um，W=1um，并将PMOS管也设成同样参
数，试运行仿真得到其对应的电压传输特性曲线Vout-Vin，观察并记录VM，VOH，以及VOL，最后将曲线窗口截屏粘贴到以下空白处（包含Vout=Vin的参考线）
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3.在模拟环境（AnalogEnvironment）中设置“plottingmode”为“Append”，然后
将PMOS管参数改成2倍（即L=0.18um，W=2um）和4倍（即L=0.18um，W=4um），将三组电压传输特性曲线plot在同一个窗口中，观察并记录VM随PMOS管参数的变换，并将窗口截屏粘贴到以下空白处：
4.通过修改PMOS管和NMOS管的宽长比，将VM调整到0.9V，记录对应的
两个管的宽长尺寸，并将其电压传输特性曲线窗口截屏粘贴到以下空白处：
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5.估算VM=0.9V时的VIH与VIL，并计算对应的高低噪声容限VNMH与VNML。（提示：VNMH=VOH-VIH；VNML=VIL-VOL）
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