第4章 内存条
4.7 思考与练习
1．查阅有关计算机商情报刊，上网查看硬件信息；到当地计算机配套市场考察内存条的型号、价格等商情信息。
答：略。
2．上网查有关主流DDR3、DDR4内存颗粒编码规则方面的资料（搜索关键词：主流DDR
内存颗粒）。
答：
经常用到的内存品牌有：海盗船、Kingston（金士顿）、Kingmax（胜创）、APACER（宇瞻）、三星（SAMSUNG）、现代（HYNIX）等。杂牌中用的颗粒编号较多的是EACH的以及KingMAN、KingRAM等等。海盗船内存主要用于服务器或者发烧玩家，我们大家在购买电脑的时候，在资金比较宽裕的情况下，我们推荐选购Kingston的VALUERAM盒装内存，以及APACER盒装内存（建议购买英飞凌”INFINEON“颗粒的）这两种内存提供内存的终身质保，品质上没有任何问题，大家完全可以放心使用。如果资金不是很宽裕，建议购买非打磨现代的内存，经实践证明原厂现代内存的兼容性在所有的内存中首屈一指。但是，现代的内存假货严重泛滥，关于其及售假方法将在下文中提到。如果你要购买现代的兼容内存，那我建议您一定要买富豪代理或者金霞代理的盒装正品。如果贪图便宜选择散装条子，那就要考考您的眼力了。基本上，我们不推荐您购买杂牌内存，杂牌内存在使用寿命和质保上都不能令人满意，最后说一下Kingmax内存我们之所以不推荐，就是因为Kingmax内存与某些主板（如早期NFORCE 2芯片组）的兼容性不是很好，但其
自身的品质和性能绝对也是业界一流的。我们希望您在购买的时候一定要当场试试，看有没有兼容性问题。
下面让我来为大家解读一些品牌内存的颗粒编号含义：
以上是市场上流行的“现代”内存的标号。对应位置上1:不用我说你也看出来了当然是代表HY生产的颗粒喽 2：内存芯片类型：5D ：DDR SDRAMS 3：工艺与工作电压V ：CMOS，3.3V U : CMOS, 2.5V 4：芯片容量和刷新速率： 64 :64m, 4kref 66 :64m, 2kref 28 :128m,4kref 56 :256m,8kref 12 :512m,8kref 5: 芯片结构（数据宽度）4：X4（数据宽度4bit 下同) 8 :x8 16 :x16 32 :x32 6：BANK数量： 1 :2BANKS 2 :4BANKS 7：I/O界面： 1 :SSTL_3 2 :SSTL_2 8：芯片内核版本： 空白:第一代 A :第二代 B :第三代 C :第四代 9：能量等级： 空白 :普通 L :低能耗 10：封装形式： T :TSOP Q :TQFP L :CSP(LF-CSP) F :FBGA 11：工作速度： 33 :300NHZ 4 :250MHZ 43 :233MHZ 45 :222MHZ 5 :200MHZ 55 :183MHZ K :DDR266A H :DDR266B L :DDR200
我们再来看一下Kingstone内存的标号方法：
1.KVR代表kingston value RAM 2.外频速度3.一般为X 4.64为没有ECC；72代表有ECC5.有S字符表示笔记本专用内存，没有S字符表示普通的台式机或是服务器内存6.3：CAS=3；2.5：CAS=2.5；2：CAS=27.分隔符号8.内存的容量
来港易我们以金士顿ValueRAM DDR内存编号为例：编号为ValueRAM KVR400X64C25/256 这条内存就是：金士顿ValueRAM外频400MHZ不带有ECC校验的CAS=2.5的256M内存。
莫言简介董洁个人资料3．理解DRAM的内存时间参数的含义，在BIOS中设置内存参数。
答服装搭配图片：
CAS Latency [column address strobe Latency 列地址选通脉冲时间延迟]
CL是CAS Latency的缩写，指的是内存存取数据所需的延迟时间，简单的说，就是内存接到CPU的指令后的反应速度。数字越小，代表反应所需的时间越短。怎样高效学习
Fast RAS To CAS Delay：行地址触发信号到列地址触发信号之间的延迟时间。通常是RAS#下降到CAS#下降之间的时间。
tAC（Access time from CLK）：是最大CAS延迟时的最大数输入时钟，迟时间的计算一般用这个公式: 总延迟时间=系统时钟周期×CL模式数+存取时间（tAC）, 最重要的改变是在界面数据传输上，其在时钟信号上升缘与下降缘时各传输一次数据，这使得DDR的数据传输速率为传统SDRAM的两倍。
CPC : Command Per Clock
(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。
显然，CPC越短越好。
tCL : CAS Latency Control(tCL)
(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。
内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。
这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。
这个参数越小，则内存的速度越快。有些内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。在保证稳定性的前提下，CAS值越低，则会导致更快的内存读写操作。
tRCD : RAS to CAS Delay
RAS to CAS Delay(也被描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行寻址到列寻址延迟时间"，数值越小，性能越好。对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高性能。但如果该值设置太低、太高，同样会导致系统不稳定，如果超频性能不佳，则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值。
tRAS : Min RAS Active Timing
(也被描述为：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“内存行有效
至预充电的最短周期”，调整这个参数需要结合具体情况而定，这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。
如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期。如果你的CAS latency的值为2，tRCD的值为3，则最佳的tRAS值应该设置为7个时钟周期。为提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值，但如果发生内存错误或檔机，则应该增大tRAS的值。
tRP : Row Precharge Timing(tRP)
(也被描述为：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示"内存行地址控制器预充电时间"，预充电参数越小则内存读写速度就越快。
tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长，设为2可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。然而，想要把tR
P设为2对大多数内存都是个很高的要求，可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作。对于桌面计算机来说，推荐预充电参数的值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRP值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。
一般说来，tRP值建议2-5之间的值。值为2将获取最高的性能，该值为4将在超频时获取最佳的稳定性，同样的而该值为5，则太保守。大部分内存都无法使用2的值，需要超频才可以达到该参数。
tRC : Row Cycle Time(tRC)
表示“SDRAM行周期时间”，它是包括行单元预充电到激活在内的整个过程所需要的最小的时钟周期数。其计算公式是：row cycle time (tRC) = minimum row active time(tRAS) + row precharge time(tRP)。因此，设置该参数之前，你应该明白你的tRAS值和tRP值是多少。如果tRC的时间过长，会因在完成整个时钟周期后激活而等待无谓的延时，而降低性能。然后一旦该值设置过小，在被激活的行单元被充分充电之前，新的周期就可
以被初始化。在这种情况下，仍会导致数据丢失和损坏。
因此，最好根据tRC = tRAS + tRP进行设置，如果你的内存模块的tRAS值是7个时钟周期，而tRP的值为4个时钟周期，则理想的tRC的值应当设置为11个时钟周期。
tRFC : Row Refresh Cycle Time
Row Refresh Cycle Time(tRFC、RFC)，表示“SDRAM行刷新周期时间”，它是行单元刷新所需要的时钟周期数。该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次发送刷新指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。
预备党员思想汇报2012年3月通常tRFC的值不能达到9，而10为最佳设置，17-19是内存超频建议值。建议从17开始依次递减来测试该值。大多数稳定值为tRC加上2-4个时钟周期。
tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay)
Row to Row Delay，也被称为RAS to RAS delay (tRRD)，表示"行单元到行单元的延时"。该值也表示向相同的bank中的同一个行单元两次发送激活指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRRD值越小越好。
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