ESD对电子器件的损伤有哪些?
ESD对电⼦器件的损伤有哪些？
ESD对电⼦器件的损伤ESD对电⼦器件的损伤,⽆论ESD直接对电⼦器件放电，还是对电⼦器件间接放电，均能使电⼦器件受到损伤。既能引起器件功能的突发性失效，⼜能引起器件功能的潜在性失效。
1.突发性失效
突发性失效是指当电⼦器件暴露在ESD环境中时，电路参数可能明显发⽣变化，它的功能可能丧失。ESD可能引起⾦属熔化造成短路或者绝缘层击穿等，使器件的电路遭到永久性的破坏。这类失效可以在装运之前的成品测试中检查出来。据有关资料统计表明，在受静电损伤的电⼦器件中，突发性失效约占失效总数的 10%。
很强的静电场会导致MOS场效应器件的栅氧化层被击穿，使器件失效。⼀般MOS器件的栅氧化膜厚度为1(T7 m数量级，当电路设计没有采取保护措施时，即便是致密⽆针孔的⾼质量氧化层, 也会在100 V的静电电压下被击穿。对于有保护措施的电路，虽然击穿电压可能髙于100 V，但危险静电源的电压可能是⼏千伏，甚⾄上万伏。因此，⾼压静电场的击穿效应仍然是MOS电路的⼀⼤危害。另外，⾼压静电场也可能使多层布线电路间介质击穿或⾦属化导线间介质击穿，造成电路失效。
2.潜在性失效电子器件有哪些
潜在性失效是指当器件暴露在ESD环境中，可能引起器件性能的部分退化，但是暂时不影响它发挥应有的功能。然⽽，器件的使⽤寿命⼤⼤缩短。这种损伤具有累加性，随着所遭受的ESD脉冲次数的增多，使器件的静电损伤电压阈值逐次降低，或使器件的参数缓慢变坏。据资料统计表明：潜在性失效占电⼦器件ESD失效总数的90%。因此，电⼦器件的潜在性失效危害更⼤。

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