“微电子器件”课程复习题
一、填空题
1、若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为，则室温下该区的平衡多子浓度pp0与平衡少子浓度np0分别为（ ）和（ ）。
2、在PN结的空间电荷区中，P区一侧带（ ）电荷，N区一侧带（ ）电荷。内建电场的方向是从（ ）区指向（ ）区。
3、当采用耗尽近似时，N型耗尽区中的泊松方程为（ ）。由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（ ）。
4、PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（ ），内建电场的最大值就越（ ），内建电势Vbi就越（ ），反向饱和电流I0就越（ ），势垒电容CT就越（ ），雪崩击穿电压就越（ ）。
5、硅突变结内建电势Vbi可表为（ ），在室温下的典型值为（ ）伏特。
6、当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（ ），势垒区的势垒高度会（ ）。
7、当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（ ），势垒区的势垒高度会（ ）。
8、在P型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度np与外加电压V之间的关系可表示为（ ）。若P型区的掺杂浓度，外加电压V = 0.52V，则P型区与耗尽区边界上的少子浓度np为（ ）。
9、当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（ ）；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（ ）。
10、PN结的正向电流由（ ）电流、（ ）电流和（ ）电流三部分所组成。
11、PN结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（ ）；PN结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（ ）。
12、当对PN结外加正向电压时，由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散，一边（ ）。每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（ ）。
13、PN结扩散电流的表达式为（ ）。这个表达式在正向电压下可简化为（ ），在反向电压下可简化为（ ）。
电子器件有哪些14、在PN结的正向电流中，当电压较低时，以（ ）电流为主；当电压较高时，以（ ）电流为主。
15、薄基区二极管是指PN结的某一个或两个中性区的长度小于（ ）。在薄基区二极管中，少子浓度的分布近似为（ ）。
16、小注入条件是指注入某区边界附近的（ ）浓度远小于该区的（ ）浓度，因此该区总的多子浓度中的（ ）多子浓度可以忽略。
17、大注入条件是指注入某区边界附近的（ ）浓度远大于该区的（ ）浓度，因此该区总的多子浓度中的（ ）多子浓度可以忽略。
18、势垒电容反映的是PN结的（ ）电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高，则势垒电容就越（ ）；外加反向电压越高，则势垒电容就越（ ）。
19、扩散电容反映的是PN结的（ ）电荷随外加电压的变化率。正向电流越大，则扩散电容就越（ ）；少子寿命越长，则扩散电容就越（ ）。
20、在PN结开关管中，在外加电压从正向变为反向后的一段时间内，会出现一个较大的反向电流。引起这个电流的原因是存储在（ ）区中的（ ）电荷。这个电荷的消失途径有两条，即（ ）和（ ）。
21、从器件本身的角度，提高开关管的开关速度的主要措施是（ ）和（ ）。
22、PN结的击穿有三种机理，它们分别是（ ）、（ ）和（ ）。
23、PN结的掺杂浓度越高，雪崩击穿电压就越（ ）；结深越浅，雪崩击穿电压就越（ ）。
24、雪崩击穿和齐纳击穿的条件分别是（ ）和（ ）。
25、晶体管的基区输运系数是指（ ）电流与（ ）电流之比。由于少子在渡越基区的过程中会发生（ ），从而使基区输运系数（ ）。为了提高基区输运系数，应当使基区宽度（ ）基区少子扩散长度。
26、晶体管中的少子在渡越（ ）的过程中会发生（ ），从而使到达集电结的少子比从发射结注入基区的少子（ ）。
27、晶体管的注入效率是指（ ）电流与（ ）电流之比。为了提高注入效率，应当使（ ）区掺杂浓度远大于（ ）区掺杂浓度。
28、晶体管的共基极直流短路电流放大系数是指发射结（ ）偏、集电结（ ）偏时的（ ）电流与（ ）电流之比。
29、晶体管的共发射极直流短路电流放大系数是指（ ）结正偏、（ ）结零偏时的（ ）电流与（ ）电流之比。
30、在设计与制造晶体管时，为提高晶体管的电流放大系数，应当（ ）基区宽度，（ ）基区掺杂浓度。
31、某长方形薄层材料的方块电阻为100Ω，长度和宽度分别为和，则其长度方向和宽度方向上的电阻分别为（ ）和（ ）。若要获得1KΩ的电阻，则该材料的长度应改变为（ ）。
32、在缓变基区晶体管的基区中会产生一个（ ），它对少子在基区中的运动起到（ ）的作用，使少子的基区渡越时间（ ）。
33、小电流时会（ ）。这是由于小电流时，发射极电流中（ ）的比例增大，使注入效率下降。
34、发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时，不但不能提高（ ），反而会使其（ ）。造成发射区重掺杂效应的原因是（ ）和（ ）。
35、在异质结双极晶体管中，发射区的禁带宽度（ ）于基区的禁带宽度，从而使异质结双极晶体管的（ ）大于同质结双极晶体管的。
36、当晶体管处于放大区时，理想情况下集电极电流随集电结反偏的增加而（ ）。但实际情况下集电极电流随集电结反偏增加而（ ），这称为（ ）效应。
37、当集电结反偏增加时，集电结耗尽区宽度会（ ），使基区宽度（ ），从而使集电极电流（ ），这就是基区宽度调变效应（即厄尔利效应）。
38、IES是指（ ）结短路、（ ）结反偏时的（ ）极电流。
39、ICS是指（ ）结短路、（ ）结反偏时的（ ）极电流。
41、ICBO是指（ ）极开路、（ ）结反偏时的（ ）极电流。
41、ICEO是指（ ）极开路、（ ）结反偏时的（ ）极电流。
42、IEBO是指（ ）极开路、（ ）结反偏时的（ ）极电流。
43、BVCBO是指（ ）极开路、（ ）结反偏，当（）时的VCB。
44、BVCEO是指（ ）极开路、（ ）结反偏，当（）时的VCE。
45、BVEBO是指（ ）极开路、（ ）结反偏，当（）时的VEB。
46、基区穿通是指当集电结反向电压增加到使耗尽区将（ ）全部占据时，集电极电流急
剧增大的现象。防止基区穿通的措施是（ ）基区宽度、（ ）基区掺杂浓度。
47、比较各击穿电压的大小时可知，BVCBO（ ）BVCEO ，BVCBO（ ）BVEBO。
48、要降低基极电阻，应当（ ）基区掺杂浓度，（ ）基区宽度。
49、无源基区重掺杂的目的是（ ）。
50、发射极增量电阻re的表达式是（ ）。室温下当发射极电流为1mA时，re =（ ）。
51、随着信号频率的提高，晶体管的、的幅度会（ ），相角会（ ）。
52、在高频下，基区渡越时间对晶体管有三个作用，它们是：（ ）、（ ）和（ ）。
53、基区渡越时间是指（ ）。当基区宽度加倍时，基区渡越时间增大到原来的（ ）倍。
54、晶体管的共基极电流放大系数随频率的（ ）而下降。当晶体管的下降到（ ）时的频率，称为的截止频率，记为（ ）。
55、晶体管的共发射极电流放大系数随频率的（ ）而下降。当晶体管的下降到时的频率，称为的（ ），记为（ ）。
56、当时，频率每加倍，晶体管的降到原来的（ ）；最大功率增益降到原来的（ ）。
57、当（ ）降到1时的频率称为特征频率。当（ ）降到1时的频率称为最高振荡频率。
58、当降到（ ）时的频率称为特征频率。当降到（ ）时的频率称为最高振荡频率。
59、晶体管的高频优值M是（ ）与（ ）的乘积。
60、晶体管在高频小信号应用时与直流应用时相比，要多考虑三个电容的作用，它们是（ ）电容、（ ）电容和（ ）电容。
61、对于频率不是特别高的一般高频管，中以（ ）为主，这时提高特征频率的主要措施是（ ）。
62、为了提高晶体管的最高振荡频率，应当使特征频率（ ），基极电阻（ ），集电结势垒电容（ ）。
63、对高频晶体管结构上的基本要求是：（ ）、（ ）、（ ）和（ ）。
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