区熔硅单晶区熔硅单晶(float zonesilicon crystal)用区熔法单晶生长技术制备的半导体硅材料，是重要的硅单晶产品。由于硅熔体与坩埚容器起化学作用，而且利用硅表面张力大的特点，故采用悬浮区熔法，简称FZ法或FZ单晶。CZ法(直拉法）的单晶拉制在国内比较普遍，且容易实现，主要是将多晶硅料放在坩埚中，加热后将融融态硅提拉出来，且单晶炉价格较FZ法拉制的设备便宜很多，FZ法（区熔法）时...

直拉单晶硅的制备硅、锗等单晶制备，就是要实现由多晶到单晶的转变，即原子由液相的随机排列直接转变为有序阵列；由不对称结构转变为对称结构。但这种转变不是整体效应，而是通过固液界面的移动而逐渐完成的。为实现上述转化过程，多晶硅就要经过由固态到熔融态，然后又由熔融态硅到固态晶体硅的转变。这就是从熔体硅中生长单晶硅所遵循的途径。从熔体中生长硅单晶的方法，目前应用最广泛的主要有两种：有坩埚直拉法和无坩埚悬浮区...

第四章、硅中有害杂质1、 概念解释：*小平面效应：晶体生长的固液界面，由于受坩埚中熔体等温线的限制，常常是弯曲的。如果在晶体生长时迅速提起晶体，则在<111>锗、硅单晶的固液界面会出现一小片平整的平面，它是(111)原子密排面，称之为小平面。在小平面区杂质浓度与非小平面区有很大差异，这种杂质在小平面区域中分布异常的现象叫小平面效应。杂质（生长）条纹：在晶体生长的过程中，由于各种外界因素...

椰子螺哪个品牌女装好碳化硅 单晶生长炉 内部结构安化新闻碳化硅单晶生长炉是一种以碳化硅材料为介质运行的特殊用途炉具，具有高温、耐腐蚀、热稳定性高等特点。它通常由金属体、金属衬里、热电偶、工作室、热电偶保护筒、热电偶支架、炉嘴、炉盖等部件组成。碳化硅用途金属体具外形尺寸顶出式或翻盖式，内部构造为锁扣槽和架子，提供了工作室的良好的密封结构；金属衬里一般由耐高温的碳基硅酸盐粉体质组成，可以起到保护金属体...