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微结构

ICP刻蚀pGaN表面微结构GaN基蓝光LED

2023-10-30 14:18:23

SEMICONDUCTOROPTOELECTRONICSV01.29No.1Feb.2008ICP刻蚀P—GaN表面微结构GaN基蓝光LED张贤鹏,韩彦军,罗毅,薛小琳,汪莱,江洋(清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室.北京100084)摘要:采用基于CI。/Ar/BCI。气体的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术制作了p-GaN表面具有直径3pm、周期6“m的二维圃孔微结构GaN基蓝先LE...

中国紫土的微结构研究_兼论在ST制土壤基层分类上的应用_何毓蓉

2023-06-15 04:22:28

文章编号:1001-4829(2002)01-0065-05收稿日期:2001-11-12基金项目:国家自然科学基金重点项目(49831004)和中国科学院特别支持项目经费资助作者简介:何毓蓉(1943-),男,四川成都人,研究员,博士生导师,主要从事土壤地理、土壤微形态等专业研究。中国紫土的微结构研究)))兼论在ST 制土壤基层分类上的应用何毓蓉1,黄成敏2,宫阿都1(11中国科学院、水利部成...

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