微结构
ICP刻蚀pGaN表面微结构GaN基蓝光LED
ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲＯＰＴＯＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳＶ０１．２９Ｎｏ．１Ｆｅｂ．２００８ＩＣＰ刻蚀Ｐ—ＧａＮ表面微结构ＧａＮ基蓝光ＬＥＤ张贤鹏，韩彦军，罗毅，薛小琳，汪莱，江洋（清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室．北京１０００８４）摘要：采用基于ＣＩ。／Ａｒ／ＢＣＩ。气体的感应耦合等离子体（ＩＣＰ）刻蚀技术制作了ｐ－ＧａＮ表面具有直径３ｐｍ、周期６“ｍ的二维圃孔微结构ＧａＮ基蓝先ＬＥ...
中国紫土的微结构研究_兼论在ST制土壤基层分类上的应用_何毓蓉
文章编号:1001-4829(2002)01-0065-05收稿日期:2001-11-12基金项目：国家自然科学基金重点项目(49831004)和中国科学院特别支持项目经费资助作者简介：何毓蓉(1943-)，男，四川成都人，研究员，博士生导师，主要从事土壤地理、土壤微形态等专业研究。中国紫土的微结构研究)))兼论在ST 制土壤基层分类上的应用何毓蓉1，黄成敏2，宫阿都1(11中国科学院、水利部成...
