栅氧
一种高抗辐射加固VDMOS栅氧反向击穿制备方法
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号 CN 114520150 A(43)申请公布日 2022.05.20(21)申请号 CN202210142934.3几号立秋2022(22)申请日 2022.02.16(71)申请人 中国电子科技集团公司第五十八研究所 地址 214000 江苏省无锡市滨湖区惠河路5号(72)发明人 徐海铭 贺琪...
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